课题01半导体二极管.ppt

电子技术基础 制作：刘立平 课题：半导体二极管 摘要 半导体二极管结构、类型与型号 半导体二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的应用 特殊二极管 小 结 课题：半导体二极管 一、半导体二极管结构、类型与型号 二、半导体二极管的伏安特性曲线 正向特性曲线： 二极管正偏 死区：正向高阻区。其电流非常小，处于正向阻断状态。 典型值：锗管0～0.3V，硅管0～0.5V。 正向导通区：呈低阻状态。具有基本恒定的管压降。 典型正向压降：锗管0.2～0.3V，硅管约为0.6～0.7V。 反向特性曲线 反向截止区：高阻反向阻断状态。有一定的反向饱和漏电流。 反向击穿区：破坏性低阻状态。 三、半导体二极管的主要参数 最大整流电流IFM： 额定结温下，二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值，它由PN结的面积和散热条件决定。 反向击穿电压UBR： 当反向电流达到规定数值时，二极管所承受的反向电压。一般会造成二极管过热烧毁。 最高反向工作电压URM：即额定电压。 额定电流 四、半导体二极管的典型应用 半导体二极管的开关作用 半导体二极管的钳位作用 半导体二极管的限幅作用 承受正向电压时，有电流流通，相当于开关闭合。 当承受反向电压时，二极管截止，相当于开关断开。 当二极管处于正向导通状态时，一端的电位处于固定的某一数值时，另一端的电位基本不变。 二极管正向导通时，由于其钳位作用，可以对输出电压进行限制。 五、特殊二极管 硅稳压二极管 半导体发光二极管与七段数码显示器 稳压特性：当稳压管处于反向击穿状态时，当其反向电流发生很大变化时，其两端电压基本不变。 主要参数： ①稳定电压Uz ②稳定电流Iz（最小稳定电流Izm） ③最大工作电流IZM 注意事项： ①硅稳压二极管必须工作于反向击穿状态 ②实际工作电流Iz要介于最小稳定电流和最大工作电流之间 ③不可以并联，只可以将最大电流相近的稳压管串联 小 结 二极管由一个PN结加以封装构成，具有典型的单向导电特性。 二极管伏安特性曲线有四个工作区。 二极管的主要参数是最高反向工作电压URM和最大整流电流IFM 。 二极管具有开关作用和钳位作用。 除了整流二极管之外，还有稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等等 稳压二极管具有稳压特性，它必须工作于反向击穿状态，不允许并联使用。