级多晶硅提纯技术现状与质量分析.ppt

Status quo of Metallurgical Purified Solar Grade Poly-Silicon and its Quality Analysis 冶金法太阳能级多晶硅提纯技术现状与质量分析Bradley Shi史珺 上海普罗新能源有限公司;目 录;;Chemical Routine 化学法;多晶硅纯度的表示;太阳能所需要的多晶硅纯度;Impurities and Solar efficiency杂质对光电转换效率的影响;Demand of New Technology新工艺的需求; Metallurgical (Physical) Routine冶金法（物理法）;Process of ProPower’s MP Routine 普罗的冶金法流程; Theoretical basis of MP Routine MP 法SOG 理论基础;目 录;Progress of MP method on PurityMP法在纯度上的进展（以经济规模）;Progress of MP method Silicon on PurityMP法多晶硅在电池效率上的进展（经济规模）; 两张MP法单晶硅片电阻率扫描图比较; 两张MP法单晶硅片少子寿命扫描图比较;CV Progress Comparation between MP method Silicon and Siemens method siliconMP法多晶硅与西门子法多晶硅在电池效率上的进展比较;CV Progress Comparation between MP method Silicon and Siemens method siliconMP法多晶硅与西门子法多晶硅在电池效率上的进展比较;目 录;Impurities and Performance of Solar cells杂质对太阳能电池的影响;Compare between MP and SiemensMP法与西门子法部分经济指标比较;Position of MP method Silicon in PV Industry MP法提纯多晶硅在光伏产业的地位;目 录;Quality Stability Analysis of MP methodMP法提纯多晶硅的质量稳定性分析;衰减原因（均为探索性研究） 硼元素过多，氧、铁等杂质未除净。 硼多的情况下，受光照后与氧、铁等杂质形成复合体，形成深能级载流子复合中心，降低了载流子浓度，因此降低效率。 衰减现象（一年的监测结果） 在光照1~2小时后，大量复合，效率下降。 之后，效率稳定，有再上升的现象存在。 消除衰减的办法： 对P型材料，硼元素降低到0.3ppm以下，金属杂质降低到1ppm以下，电阻率到1 ohm-cm以上。 采用N型材料作为衬底，金属杂质降低到1ppm以下，电阻率到0.5 ohm-cm以上。 电池工艺改进。;Reason of Non-Uniformity in MP methodMP法提纯多晶硅的质量不稳定的原因;Impurity Source in MP methodMP法提纯多晶硅的杂质来源;Enhancing Quality Stability of MP method Silicon MP法提纯多晶硅的质量稳定性的改进;Enhancing Quality Stability of MP method Silicon MP法提纯多晶硅的质量稳定性的改进效果; 2008年5月普罗公司采用MP法提纯的多晶硅制作的单晶硅电池的参数（天聚公司制造，CSI测试。 ）（平均效率16.64%, 衰减后平均效率15.03%） ;THANK YOU!