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常见内存芯片命名??
2010-06-08 21:13:23|??分类: \o 个人日记 个人日记 |??标签: |字号大中小?订阅
三星(Samsung)内存 具体含义解释: 例:SAMSUNGK4S283232E-TC60 ? ? ?SDRAMK4H280838B-TCB0 ? ? DDRK4T51163QE-HCE6 ? ?DDR2K4B1G164E-HCE7 ? ? ?DDR3主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。?Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY57V281620FTP-H ? ? H57V2562GTR-75C(新版) SDRAM? ? ?HY5DV641622AT-36 ? ? H5DU5162ETP-E3C ? ? ? ? ? ? DDRHYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 HY5PS121621BFP-C4 ? ?H5PS5162FFR-25C ? ? ? ? ? ? ?DDR2HY5TQ1G163ZNFP-G8 ? ?H5TQ1G163BFR-12C ? ? ? ?DDR3 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM,5P=DDR2SDRAM, ? 5T=DDR3SDRAM); 27=NAND FLASH 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V Q=1.8V? 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4KRef;64=64Mbits、8KRef;65=64Mbits、4KRef;128=128Mbits、8KRef;129=128Mbits、4KRef;256=256Mbits、16KRef;257=256Mbits、8KRef 5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系 7、I/O界面:1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新 9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式:JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度:55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒??Micron(美光)?以MT48LC16M8A2TG-7
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