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VMOS的保护电路: RC缓冲 RCD缓冲 共用RCD缓冲 交叉RCD缓冲 几种典型的缓冲电路 VMOS的过压保护电路 VMOS的过流保护电路 3-* §11.2 VMOS应用举例 一、电源变换 单管正激变换电路 PWM型半桥式开关电源主电路 3-* 大功率全桥式开关电源 三相逆变电源主电路 3-* 二、其他应用 由VMOS和GTR组成的混合逆变电路 (驱动简化) 模拟开关电路 电池充电电路 3-* 第 3 篇 功率器件? 第 9 章 功率晶体管(GTR) 第 10 章 门极关断晶闸管(GTO) 第 11 章 功率场效应晶体管(VMOS) 第 12 章 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 3-* 第9章 功率晶体管(GTR)§9.1 GTR的特性与保护 一、GTR的特性和参数 GTR的结构特性: GTR的基本结构、电路符号、共射极伏安特性和共射极电流增益特性 3-* GTR的主要参数: 放大系数:hFE=IC/IB 最大电流:ICM 饱和压降:VCE(sat) (饱和应适度) 最大功耗:PCM=IC·Von=(Tjm-TC) / RjC 击穿电压:VCEX等 (反偏时最高) dv/dt、di/dt耐量:即最大允许值 (dv/dt过大,易误导通;di/dt过大,易局部烧坏)? 开关时间:ton,toff (影响开关速度和开关损耗) ton=td+tr ?; toff =ts+tf ? 开关损耗:PSW=Pon+Poff 安全工作区:SOA (I、V、P应在SOA内) 3-* GTR开关过程的电流波形 GTR的二次击穿特性 开关损耗 安全工作区 3-* 二、GTR的驱动与保护 GTR的驱动电路: 最优驱动电流波形 抗饱和电路 欠饱和:Von大,功耗大;过饱和:toff大,关断速度慢;准饱和:较合适。 GTR的典型驱动电路 3-* 光耦互补驱动电路 磁耦隔离驱动电路 GTR的保护电路: GTR的缓冲电路 GTR的过流保护电路 3-* §9.2 GTR应用举例 一、逆变电路
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