mos集成电路工艺入门资料.pptxVIP

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2020-02-25 发布于上海
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mos集成电路工艺入门资料.pptx

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IC常用术语园片：硅片芯片(Chip, Die)：6?、8 ?：硅（园）片直径：1 ?＝25.4mm6??150mm; 8??200mm; 12??300mm; 亚微米1?m的设计规范深亚微米=0.5 ?m的设计规范0.5 ?m 、 0.35 ?m －设计规范（最小特征尺寸）布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线的层数。集成度：每个芯片上集成的晶体管数IC工艺常用术语净化级别：Class 1, Class 10, Class 10,000每立方米空气中含灰尘的个数去离子水氧化扩散注入光刻…………….集成电路（Integrated Circuit, IC）：半导体IC，膜IC，混合IC半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。双极ICNMOS ICPMOS IC半导体ICMOSICCMOS ICBiCMOSMOS IC及工艺MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . — 金属氧化物半导体场效应晶体管MOS(MIS)结构金属氧化物（绝缘层、SiO2）Si半导体氧化层栅氧化层源栅漏n+n+ID沟道VDS 0P－衬底VGS反型层沟道源（Source）S漏（Drain）D栅（Gate）GVTDGSN沟MOS（NMOS） P型衬底，受主杂质；栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道；漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。栅氧化层厚度：50埃－1000埃（5nm－100nm）VT－阈值电压电压控制DGSP沟MOS（PMOS）场氧化层栅氧化层源栅VT+VGS漏-p+p+沟道N－衬底VDS 0ID N型衬底，施主杂质，电子导电；栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道；漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗VDDCPMOSViVoVDDI/OI/OVSSNMOSVSSCCMOS传输门CMOS倒相器VGVDDVoVSSSSDDn+P+P+n+P-阱N-SiCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图omicontactmetalpwellN+ implantP+ implantactivepolyA NMOS ExamplePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalpwell光MASK Pwell光刻胶SiO2N－type SiMASK Pwell光刻胶光刻胶SiO2N－type Si光刻胶光刻胶SiO2SiO2N－type SiSiO2SiO2PwellN－type SiactivePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalpwellMASK ActiveMASK active光刻胶Si3N4SiO2PwellSiO2N－type SiMASK ActiveMASK active光刻胶光刻胶Si3N4SiO2PwellSiO2N－type Si光刻胶光刻胶Si3N4SiO2PwellSiO2N－type SiSi3N4场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type Si场氧场氧场氧SiO2PwellPwellN－type Sipoly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type SipolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalpwellactiveMASK poly光刻胶poly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type SiMASK poly光刻胶poly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type Sipoly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type Sipoly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type SiN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalpwellactivepolyMASK N+光刻胶poly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type SiS/DN+ implant光刻胶poly场氧场氧场氧SiO2PwellPwellSiO2N－type