电工学电子技术期末复习总结知识点.pptxVIP

第一篇;本篇的主要内容;第一章 半导体二极管及电路分析;1.1.1 半导体二极管的结构、特性与参数;本征半导体的电特性;?在室温下，本征半导体非常容易受热激发产生电子—空穴对；这时的载流子浓度称本征浓度，;二 极 管;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。;伏安特性; 稳压二极管;二极管的用途： 1.整流：将正弦交流信号变为单向信号 2.检波：将周期非正弦信号变为单向信号 3.钳位：二极管一端与固定电位相连接，另一端 不高于（低于）该电??。 不同方向钳位构成限幅电路 4.开关：用于数字电路 5.元件保护：二极管反向并联，限制其端电压 6.温度补偿：利用半导体的温度特性;三极管特性曲线;输出特性; 截止区; 饱和区;; 放大区;输出特性三个区域的特点:;输出回路方程;;;第2篇;令开关闭合和灯亮为逻辑 “1”，开关断开和灯暗为逻 辑“0”时，有如表所示的真 值表。;A;这种关系在日常生活中也是非常普遍的。以二只并联开关控制一只电灯为例，当其中一只开关闭合时，电灯就亮。 令开关闭合和灯亮为逻辑 “1”，开关断开和灯暗为逻 辑“0”时，有如表所示的真 值表。;A;条件 A; ;二个条件相同时，结果成立，二个条件相异时，结果不成立。 ;（3）复合逻辑关系;其中后四个定律可以用前四个进行证明成立， 也可用真值表证明等式成立。;令开关合上为“1”，不合为“0”，灯亮为“1”，暗为“0”时真值表;（3）逻辑图和波形图表示;例2. 卡诺图化简;3.包围“1”格得原函数，包围“0”格得反函数， 经二次求反后分别可用“与非”逻辑和“或非” 逻辑实现。 ; 本章讨论的是实现各种功能逻辑功能的具体电子电路。如实现“与”逻辑功能的具体电路，“或非”逻辑功能的具体电路等等。由于“与”、“或”、“非”、“与非”、“或非”、“与或非”等逻辑功能已经了解。所以，我们只介绍两种主要的电路类型和结构。即电路的基本类型 、结构、定性的工作原理、电路的外特性、以及使用时的注意事项等。;;;3.TTL三态输出门;注意：三态输出门的电路符号有多种：;三态门的应用;2.2.3 各类门电路应用时的注意事项;特别注意：不能把多余输入端悬空。对TTL电路，悬空虽相当于高电平，但易引入干扰；对CMOS电路，悬空低电位，使相应管子截止，破坏了逻辑关系，也会引入干扰。; 组合逻辑电路的特点是：在任何时刻的输出状态（结果），只决定于该时刻的输入取值。一旦输入取值确定后，输出结果就可以明确确定。它的电路框图如图所示：;;;例：分析下图的逻辑功能。 ;;例：设计三人表决电路（A、B、C）。每人一个按键，如果同意则按下，不同意则不按。结果用指示灯表示，多数同意时指示灯亮，否则不亮。;逻辑状态表;用卡诺图化简;4.根据逻辑表达式画出逻辑图。;;第四章 集成触发器和时序逻辑电路;第四章 集成触发器;触发器部分小结;;逻辑功能;;第三篇;第一章 放大电路的动态和频响分析;主要技术指标;分贝;输出; 输入电阻反映了放大电路从信号源所汲取电压的能力。Ri越大，则信号电压损失越小，输入电压越接近信号源电压。;(3)输出电阻Ro;输出电阻Ro的大小，反映了放大电路带负载的能力。Ro越小，则放大电路带负载能力越强，电路输出越接近恒压源输出。;3.1.2 半导体三极管和场效应管 的低频小信号模型;;在应用三极管低频小信号模型时应注意：; 其中，rbb′为晶体三极管的基区体电阻，约为100~300Ω；VT＝26mV（室温下，是电压的温度档量）；IEQ为发射极静态电流。;④ 计算动态性能指标（如Av、Ri、Ro）。;3.2.1 集成运算放大器的典型结构及特点;;;差模成分：两个输入信号之差。;可见，差动放大器若在①端和②端输入信号时，这信号中即包含有差模信号 ，又含有共模信号 。这时，差分放大器的输出电压应包括对差模信号放大后的电压 ，和对共模信号放大后的输出电压 。;;