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电子与微电子材料;本章内容;6.1 导电材料;6.1.2 快离子导体;(1)电子导电陶瓷
非金属元素的碳化物、氮化物以共价键为主,金属键为辅。这几类化合物构成的陶瓷都是电子导电
如SiC、MoSi2电热材料
某些氧化物陶瓷通过加热或者用其它的方法激发,使外层电子获得足够的能量成为自由电子而具有导电性
如氧化铝陶瓷、氧化钍陶瓷及由复合氧化物组成的铬酸镧陶瓷,都是新型的高温电子导电材料; ;6.1.3 聚合物导电材料;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials;6.2 介电材料;(1)绝缘陶瓷 Insulating ceramics;绝缘陶瓷种类; ;(2)介电陶瓷 dielectric ceramic;高频介质陶瓷;27;微波介质陶瓷; ;6.2.2 压电材料
压电效应和逆压电效应;常用的压电陶瓷; ; ;6.2.4 铁电材料
定义,电滞曲线,剩余极化强度、矫顽电场强度; ; ;6.3 半导体材料 Semiconductors;38;能带理论;40;6.3.2 半导体分类及特点;掺杂( Doping ):在高纯半导体中有意识地加入少量杂质以提高载荷体数量
施主杂质( n-型半导体):ⅣA族元素(C、Si、Ge、Sn)中掺入以VA族元素(P、Sb、Bi)
受主杂质( p-型半导体):ⅣA族元素(C、Si、Ge、Sn)中掺入以ⅢA族元素(如B)
; ; ;; ; ;(3)超晶格半导体 ;① 组分超晶格;② 掺杂超晶格 ;51;③ 多维超晶格 ;④ 应变超晶格 ;半导体的电阻特性;6.3.3 PN结;56;57;58;59;(2)砷化镓(GaAs)单晶;61;62;63;64;65;66;67; ; ; ;6.4 微电子材料与芯片;光刻原理;Manufacturing steps;Process;Etching result;6.4.3 微电子主要材料;77;酸增殖反应 ;负性光刻胶;环化橡胶-多叠氮感光体系;双叠氮光交联剂;水溶性光刻胶;对光刻胶的要求
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