WM_NP6601amr_E南麟原厂规格书.pdf

  1. 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
NP6601AMR 30V N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6601A uses advanced trench technology D1 D2 to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. G1 G2 General Features  N-channel: S1 S2 VDS =30V,ID =4A n-channel p-channel RDS(ON)=33mΩ (typical) @ VGS 4.5V RDS(ON)=46mΩ (typical) @ VGS 2.5V P-Channel: Marking and pin assignment 55 VDS =-30V,ID =-4A 00 SOT-23-6L 33 (TOP VIEW) RDS(ON)=52mΩ (typical) @ VGS -4.5V 33 D1 S1 D2 RDS(ON)=65mΩ (typical) @ VGS -2.5V 11  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 55 6 5 4  Very low on-resistance RDS(ON) 33  150 °C operating temperature 22 6601A  Pb-free lead plating 88  100% UIS tested 33 11 1 2 3 :: Application LL G1 S2 G2  DC/DC Converter EE Package  Ideal for high-frequency switching and TT synchronous rectification

文档评论(0)

赵伟坤-恒佳盛电子 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档