WM_NP9926Bsr_E南麟原厂规格书.pdf

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2020-03-19 发布于广东
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NP9926BSR 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP9926BSR uses advanced trench technology D1 D2 and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G1 G2 General Features  VDS =20V，ID =6A S1 S2 RDS(ON)(Typ.)=28mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=24mΩ @VGS=4.5V Marking and pin assignment  High density cell design for ultra low Rdson  Fully characterized avalanche voltage and current SOP-8 (TOP VIEW) Application 55  Power switching application 00 S2 1 8 D2 33 N Y X P  Hard switched and high frequency circuits Y X 9 G2 2 7 D2 33  Uninterruptible power supply Y X 9 2 11 Y X 6