WM_NP6667d6_E南麟原厂规格书.pdf

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2020-03-19 发布于广东
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NP6667D6 N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6667D6 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features  N-channel： N-CH P-CH VDS =30V,ID =10A Marking and pin assignment RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=19mΩ (typical) @ VGS=4.5V PDFN5×6-8L-B P-Channel： 55 D1 D1 D2 D2 D2 D2 D1 D1 VDS =-30V,ID =-10A 00 33 RDS(ON)=16mΩ (typical) @ VGS -10V 33 RDS(ON)=22mΩ (typical) @ VGS -4.5V 11 NP6667  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 55 XXXXX  Very low on-resistance RDS(ON) 33 YYYYY  150 °C operating temperature 22  Pb-free lead plating 88  100% UIS tested 33 S1 G1 S2 G2 G2 S2 G1 S1 11 Top View Bottom View :: Application LL Note：  Pch+Nch Complementary MOSFET for DC-FAN XXXX is the date code , EE HF Pb  H-Bridge