WM_NP7222EMr_E南麟原厂规格书.pdf

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2020-03-19 发布于广东
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NP7222EMR 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP7222EMR uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch applications. General Features  VDS =20V,ID =6A RDS(ON)=20mΩ (typical) @ VGS 4.5V RDS(ON)=24mΩ (typical) @ VGS 2.5V Marking and pin assignment  High power and current handing capability  Lead free product is acquired SOT23-6L  Surface mount package 55 (Topview)  ESD Protected up to 2kV HBM 00 33 N G1 S1 1 6 Application P 7 33 D1/D2 2 2 5 D1/D2 2 11 2  Battery protection 55  Load switch 33 S2 3 E 4 G2  Power management 22 88 NP: Natlinear Power Package 33 7222 ：Product No.  SOT23-6L 11 E: with ESD Protected