MEM2310XG-N_E1.0微盟原厂规格书.pdf

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2020-03-20 发布于广东
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MEM2310 N-Channel MOSFET MEM2310XG-N General Description Features MEM2310XG-N Series N-channel enhancement  30V/4.4A mode field-effect transistor , These miniature surface RDS(ON), Vgs@10V, Ids@4.4A = 35mΩ mount MOSFETs utilize High Cell Density process. RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 51mΩ Low RDS(ON) assures minimal power loss and  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance conserves energy, making this device ideal for use in  High power and current handling capability power management circuitry. Typical applications  Low side high current DC-DC Converter applications are DC-DC converters, power management in  Subminiature surface mount package:SOT23 portable and battery-powered products such as computers, printers, battery charger, telecommunication power system, and telephones power system. 5 0 Pin Configuration Typical Application 3 3  Battery management 1  High speed switch 5 3 2 Low power DC to DC converter 8 3 1 : L L A Absolute Maximum Ratings (TA = 25℃unless otherwise noted) C Parameter