MEM2300XG-N_E1.0微盟原厂规格书.pdf

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2020-03-20 发布于广东
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MEM2300 N-Channel MOSFET MEM2300XG-N General Description Features MEM2300XG-N Series N-channel enhancement  20V/4.1A mode field-effect transistor , These miniature RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@1.5A = 61mΩ surface mount MOSFETs utilize High Cell Density RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.8A = 47mΩ process. Low RDS(ON) assures minimal power loss RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.1A = 37mΩ and conserves energy, making this device ideal for  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance use in power management circuitry. Typical  High power and current handling capability applications are DC-DC converters, power  Low side high current DC-DC Converter applications management in portable and battery-powered  Subminiature surface mount package:SOT23 products such as computers, printers, battery charger, telecommunication power system, and telephones power system. 5 0 Pin Configuration Typical Application 3 3  Battery management 1 5  High speed switch 3  Low power DC to DC converter 2 8 3 1 : L L A C Absolute Maximum Ratings (