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MEM1260
N-CHANNEL POWER MOSFET MEM12N60
General Description Features
The MEM12N60 is a high voltage and high curren
● 600V，12A
t power MOSFET, designed to have better
● RDS(ON)=0.7Ω@VGS=10V
characteristics, such as fast switching time, low gate ● LOW Crss
charge, low on-state resistance and have a high ● Fast Switching
rugged avalanche characteristics. This power ● Avalanche energy specified
MOSFET is usually used at high speed switching ● Package ：TO220-F
applications in powersupplies, PWM motor controls, 5
0
high efficient DC to DC converters and bridge circuits
Pin Configuration 3
3
. 1
Pin Configuration 5
3
2
8
3
1
:
L
L
A MEM12N60A3G
C
Maximum Ratings(Ta=25℃)
Parameter Symbol Ratings Unit
Drain-Source Voltage VDSS 600V V
Gate-Source Voltage VGSS ±30 V
T =25℃ 12 ▲
Drain A
ID A
Current T =100℃
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