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AP8814A
20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET
Description
D 1 D 2
The AP8814A uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and G 1 G 2
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
S 1 S2
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
General Features
V = 20V I = 8A
DS D
RDS(ON) 17mΩ @ VGS 4.5V
RDS(ON) 22mΩ @ VGS 2.5V
Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
AP8814A SOT23-6 8814A 3000
Absolute max Rating: (TA=25℃unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 20 V
Gate-Source Voltage VGS ±10 V
I 8 A
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