AP5N50DY 5A 500V TO-252 TO-251场效应效应管规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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AP5N50DY 5A 500V TO-252 TO-251场效应效应管规格书.pdf

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AP5N50DIY 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N50D/Y uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as hight EAS. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 500V ID =5 A RDS(ON) 1.6Ω @ VGS=10V Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP50N50D TO-252-3 AP50N50D XXX YYYY 2500 AP50N50Y TO-251-3 AP50N50Y XXX YYYY 4000 Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise specified) C Max. Symbol Parameter Units TO-251/TO-252 VDSS Drain-Source Voltage 500 V VGSS Gate-Source Voltage ±30 V TC = 25℃ 5 A ID Continuous Drain Current TC = 100℃ 3.4 A IDM Pulsed Drain Current note1 20 A EAS Single Pulsed Avalanche E