小封装晶体管AP8205A 6.0A 20V TSSOP-8.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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小封装晶体管AP8205A 6.0A 20V TSSOP-8.pdf

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AP8205A 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP8205A is the highest performance trench D 1 D 2 N-ch MOSFETs with extreme high cell density, G 1 G 2 which provide excellent RDSON and gate charge S 1 S2 for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability approved. General Features V = 20V I = 6A DS D RDS(ON) 27mΩ @ VGS 4.5V RDS(ON) 37mΩ @ VGS 2.5V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP8205A TSSOP-8 8205A 5000 Absolute Maximum Ratings (TA=25 ℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous I 6 A D Drain Current-Pulsed (Note 1)