AP5N50HD 5A 500V TO-252场效应规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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AP5N50HD 5A 500V TO-252场效应规格书.pdf

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AP5N50HD Channel Enhancement Mode MOSFET 500V N- General Description AP5N50HD use advanced VD MOST technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features High EAS xtremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated AC Synchronous-rectification applications General Features V = 500V I =105 A DS D RDS(ON) 1.2Ω @ VGS=10V Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP5N50HD TO-252-3 AP5N50H D XXX YYYY 2500PCS Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise specified) C Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 V Continuous Drain Current I 5 A D Pulsed Drain Current (note1) IDM 28 A Gate-Source Voltage VGSS ±30