AP2N30MI 2A 300V SOT23-3L场效应规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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AP2N30MI 2A 300V SOT23-3L场效应规格书.pdf

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AP2N30MI 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N30MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General Features VDS 300V,ID 2A RDS(ON) 4.0Ω@ VGS=10V Application Uninterruptible Power Supply(UPS) Power Factor Correction (PFC) Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP2N30MI SOT23-3 MC3-2A 3000 Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) C Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS V 300 Continuous Drain Current I A D 2 Pulsed Drain Current IDM 12 A Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Single Pulse Avalanche Energy