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高速直流断路器灭弧系统的吹弧磁场分析 屈建宇 胡书通 李兴文 陈德桂 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西 西安710049 摘要:本文以高速直流断路器灭弧室为研究对象,利用Ansys软件,采用序贯电-磁耦合法,进行三维 静态电磁场分析。取电弧运动过程中四个关键位置,对比了添加增磁块后,吹弧磁场和电弧受磁吹力的大 小。最后分析了电流在5~15kA范围内,增磁块对电弧磁吹力增强作用的变化。 关键词:高速直流断路器;灭弧室;磁吹力;增磁块 TM561 A 第十六届学术年会论文集 高速直流断路器灭弧系统的吹弧磁场分析 Laj电弧位量1 图3含增磁块灭弧系统实体模型(1/2模型) 一乳。,,, I¨f.HI·1 动 触、 I¨Ioi-i·H 劣树 ㈨舞 气 10241..8 曩\ | 越飘 静触头 载流导体 f 正 (b)电弧位置2 (a)电流密度分布图 体 一 一 T嚣零堇誉薹黑邮∞:兮∞m地M¨, (c)电弧位置3 (b)Z-方向磁感应强度分布图 图4位置l电弧电磁场分析结果(不含增磁块) 中心线上Z方向磁感应强度增加,可见增磁块对 吹弧磁场有增强作用。 如表l所示,增加增磁块后,电弧在四个关键

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