CMOS工艺流程.版图.剖面教案资料.ppt

CMOS工艺流程与MOS电路版;1) 简化N阱CMOS工艺演示;氧化层生长光刻1，刻N阱掩膜版;曝光光刻1，刻N阱掩膜???光刻胶;氧化层的刻蚀光刻1，刻N阱掩膜;N阱注入光刻1，刻N阱掩膜版;形成N阱N阱P-SUB;氮化硅的刻蚀光刻2，刻有源区掩;场氧的生长光刻2，刻有源区掩膜;去除氮化硅光刻3，刻多晶硅掩膜;重新生长二氧化硅（栅氧）光刻3;生长多晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜;刻蚀多晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜;刻蚀多晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜;P+离子注入光刻4，刻P+离子;N+离子注入光刻5，刻N+离子;生长磷硅玻璃PSGPSGN阱;光刻接触孔光刻6，刻接触孔掩膜;刻铝光刻7，刻Al掩膜版AlN;刻铝VDDVoVSSN阱;光刻8，刻压焊孔掩膜版钝化层N;2) 清华工艺录像N阱硅栅CM;初始氧化;光刻1，刻N阱;N阱形成N阱;Si3N4淀积Si3N4缓冲用;光刻2，刻有源区，场区硼离子注;场氧1N阱;光刻3N阱;场氧2N阱;栅氧化，开启电压调整栅氧化层N;多晶硅淀积多晶硅栅氧化层N阱;光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离;光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离;磷硅玻璃淀积N阱磷硅玻璃;光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流;蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻;离子注入的应用;无标题;N阱硅栅CMOS工艺流程;形成N阱初始氧化，形成缓冲层，;形成P阱 在N阱区生长厚氧化层;推阱退火驱入，双阱深度约1.8;形成场隔离区生长一层薄氧化层淀;阈值电压调整注入光刻3，VTP;形成多晶硅栅（栅定义） 生长栅;形成硅化物淀积氧化层反应离子刻;形成N管源漏区光刻6，利用光刻;形成接触孔 化学气相淀积BPT;形成第一层金属淀积金属钨(W);形成第一层金属淀积金属层，如A;形成穿通接触孔化学气相淀积PE;合金 形成钝化层 在低温条件下;4) 图解双阱硅栅CMOS制作;首先进行表面清洗，去除wafe;然后在表面氧化二氧化硅膜以减小;光刻技术去除不想要的部分，此步;在P阱区域植入硼(+3)离子，;LOCOS (local?ox;去除氮化硅和表面二氧化硅层。露;离子植入磷离子(+5)，所以出;在表面重新氧化生成二氧化硅层，;在上述多晶硅层外围，氧化二氧化;形成NMOS，以砷离子进行植入;以类似的方法，形成PMOS，植;后序中的二氧化硅层皆是化学反应;无标题;光刻技术定出孔洞，以溅射法或真;RIE刻蚀出布线格局。以类似的;为满足欧姆接触要求，布线工艺是;无标题;2. 典型P阱CMOS工艺的剖;CMOS processp+p;Process (Invert;Layout and Cros;Process field o;3. Simplified C;N-well, Active ;Poly-silicon La;N+ and P+ Regio;SiO2 Upon Devic;Metal Layer – b;A Complete CMOS;DiffusionSiO2FE;Transistor - La;layersN-Diffusi;Via and Contact;Inverter Exampl;4. MOS电路版图举例1) ;1) 铝栅CMOS电路版图设计;该图的说明a 沟道长度 3;2) 铝栅、硅栅MOS器件的版;Source/Drain: ;Gate: Photomas;Contacts: Phot;Metal Interconn;硅栅硅栅MOS器件工艺的流程P;Process (2)刻多晶硅;Process (3)刻接触孔;3) 铝栅工艺CMOS反相器版;图2 铝栅CMOS反相器版图;3版图分解：1. 刻P阱 ;4版图分解：1. 刻P阱 ;4) 硅栅MOS版图举例E/E;E/D NMOS 反相器 刻有;制备耗尽型MOS管 ;硅栅CMOS与非门版图举例 刻;8;硅栅P阱CMOS反相器版图设计;1. 刻P阱2. 刻有源区3.;4. 刻PMOS管S、D5. ;VDDVoViVss7. 反刻;光刻1与光刻2套刻光刻2与光刻;光刻3与光刻4套刻光刻胶保护光;光刻5与光刻6套刻VDDViV;ViVoT2 W/L=3/1T;5) P阱硅栅单层铝布线CMO;CMOS集成电路工艺--以P阱;2、阱区注入及推进，形成阱区N;3、去除SiO2，长薄氧，长S;4、光II---有源区光刻，刻;5、光III---N管场区光刻;6、长场氧，漂去SiO2及Si;7、光Ⅳ---p管场区光刻（用;8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成;9、光ⅤI---P+区光刻，刻;10、光Ⅶ---N管场区光刻，;11、长PSG（磷硅玻璃）。P;12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。;13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（;8.7 RS触发器 ;无标题;MR,PMR,N图例：实线：扩;6) CMOS IC 版图设