电工学三极管.pptxVIP

一 晶体管的基本结构 在一个硅（锗）片上生成三个杂质半导体区域，一个P区（N区）夹在两个N区（或P区）中间。从三个杂质区域各自引出一个电极，分别称发射极，集电极，基极，它们对应的杂质区域分别为发射区、集电区，基区。 特点： 基区很薄（微米数量级），而且掺杂浓度很低，发射区和集电区是同类型的杂质半导体，但前者比后者掺杂浓度高很多，而集电区的面积比发射区面积大，因此它们不是电对称的。二 三极管的工作原理1.BJT内部载流子传输过程（1）.发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流。 由于发射结外加正向电压，发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区，形成发射结电子扩散电流IEN，其方向与电子扩散方向相反，同时，基区的多子空穴也要扩散到发射区，形成空穴扩散电流IEP，方向与IEN相同，IEN和IEP一起构成受发射结正向电压UBE控制的发射结电流（即发射极电流）IE。 即IE＝IEN＋IEP。由于基区掺杂浓度很低，IEP很小，所以IE≈IEN（2）.载流子在基区扩散与复合，形成复合电流IBN 由发射区扩散到基区的载流子电子在发射结边界附近浓度最高，离发射结越远浓度越低，形成了一定的浓度梯度，浓度差使扩散到基区的电子继续向集电结方向扩散，在扩散过程中，有一部分电子与基区的空穴复合，形成基区复合电流IBN，由于基区很薄，掺杂浓度又低，因此电子与空穴复合机会很小，IBN很小，大多数电子都能扩散到集电结边界。（3）.集电区收集载流子，形成集电极电流IC。 由于集电结上加反向电压，空间电荷区的内电场被加强，对基区扩散到集电结边缘的载流子电子有很强的吸引力，使它们很快漂移过集电结，被集电区收集，形成集电极电流中受发射结电压控制的电流ICN，其方向与电子漂移方向相反，显然ICN＝IEN－IBN 与此同时，基区自身的少子电子和集电区的少子空穴也要在集电结反偏作用下产生漂移运动，形成集电结反向饱和电流ICBO，其方向与ICN方向一致，ICN和ICBO一起构成集电极电流IC，即IC＝ICN＋ICBO（4）.基极电流IB IB＝IEP＋IBN－ICBO＝IEP＋IEN－ICN－ICBO＝IE－IC 晶体管内部的电流存在一种比例分配关系，IC和IB分别占IE的一定比例，且IC接近于IE，IC远大于IB，IC和IB间也存在比例关系。这样，当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，IC必定会发生较大的变化。这就是晶体管的电流放大作用，也就是通常所说的基极电流对集电极电流的控制作用。三极管的连接方式共发射极接法：发射极作为公共端共集电极接法：集电极作为公共端共基极接法：基极作为公共端 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。共射极连接三 BJT的V-I 特性曲线（以共射极放大电路为例）1. 输入特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。+--+正偏正偏反偏反偏+-+- 放大饱和截止 例1.测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大VcVbVe放大VcVbVe例2：有两个三极管分别接在放大电路中，今测得它们的管脚对地的电位分别如表所列，试判断（1）三极管的管脚，并在各电极上注明e、b、c；（2）是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？管脚 123电位/V43.49管脚 123电位/V-6-2.3-2解： 由表可见，三极管?的l脚和2脚电位差为0.6 V，所以三极管?是硅管；三极管Ⅱ的2脚和3脚电位差为0.3V，所以晶体管Ⅱ是锗管。 三极管?的1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极。三极管?是NPN管。同理可知，三极管Ⅱ的1脚为集电极，2脚是发射极，3脚是基极，且三极管Ⅱ是NPN管。5.2.4半导体三极管的参数 直流参数、交流参数、 极限参数一.直流参数①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=常数 2.共基极直流