第5章微机存储器lyzv10讲解.ppt

三、可擦除、可编程只读存储器 EPROM 2 、 2764 芯片 DIP28 8K*8 工作方式： 1 ）读方式： VPP=VCC=+5V -CE=-OE=0 2 ）输出禁止： -CE=0 -OE=1 3 ）备用方式： -CE=1 P 功 =25% 4 ）编程方式： VPP=+12~24 VCC=+5V -CE=0 -OE=1 -PGM=TTL 负脉冲 5 ）编程禁止： -CE=1 6 ）校验：电源不变， -CE=0 ， -OE=0 ， - PGM=1 ：读出数据效验 7 ）擦除 : 紫外线照 20 分钟以上。 三、可擦除、可编程只读存储器 EPROM 3 、 2764 EPROM 扩展 O O O RESET MEMR MEMR O D0 ~ D7 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A0 G1 G2A G2B C B A O O Y0 CE D0 D1 A0 A12 OE GND PGM VPP VCC + 5V 74LS138 2764 （ 8K × 8bit ） 8088 CPU 最大工作方式 VPP 编程电压输入 PGM 编程脉冲输入 三，可擦除，可编程的 ROM （ EPROM ） 8086 CPU 与 EPROM 2764 （ 8K × 16bit ）的连结 O O O O O O O O D0 ~ D7 D8 ~ D15 A0 BHE A0 A0 A12 A12 ………. ……….. A1 A13 ………... CE CE OE OE D0 D7 …. D0 D7 …. G1 G2B G2A C B A A16 A15 A14 M/IO RD A19 A18 A17 Y7 “1” “0” “1” “0” “0” “1” 74LS138 2764 2764 74lS20 CE ：片选 OE ：读允 许 四、可用电擦除、可编程只读存储器 EEPROM 1 、 EEPROM 的工作原理 特点：信息可以按字节、页、片擦除和编程，既可以在编程器上，也可 以在目标系统中。常用于存储系统参数或结果。具有非易失性。 结构： 2 个 MOS 管组成。 编程：在普通工作电压作用下，可以实现编程。 恢复：用电擦除恢复 . 存取方式： 并行方式 串行方式 2 、 2864 芯片 DIP28 8K*8 工作方式： 1 ）读方式： VCC=+5V -CE=-OE=0 2 ）维持： -CE=0 -OE=1 3 ）备用方式： -CE=1 4 ）擦写方式： VCC=+5V 内部升 VPP -CE=0 -OE=1 -WE=0 R/-B=0 时，先擦后写， ----RDY/B=1 T=10MS 3 、 FLASH MEMORY （闪存） 特点： EEPROM 的特点，内部可自行产生编程电压，采用块、页组织， 提供快速的擦除。提供数据保护功能。 工作特点：内部已有命令、状态寄存器，通过命令进入不同状态。 四，可用电擦除的，可编程的 ROM （ EEPROM ） 4 、 8088 CPU 与 2864 的连结 O O O …….. ….. A13 A16 A17 A19 …. ….. D0 ~ D7 A0 A1 A12 MEMW MEMR …... D0 D7 ... A0 A1 A12 ….. WE OE CE 可查询或产生中断 READY/BUSY 7406 74LS30 2864 片选 CE, 读允许 OE 写允许 WE (8K8*bit) 第 5 章：微机存储器 主讲老师：廉迎战 副教授