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电子元器件来料检验规程(一)
半导体晶体管部分
1 内容
本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管
(IGBT)来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。
2 范围
本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管
(IGBT)来料检验和验收。
3 引用标准
GB2828.1-2003 计数抽样检验程序 第一部分:按接收质量限( AQL)检索的逐批检验
抽样计划
GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 总则
GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程 试验 Cb:恒定湿热试验方法
GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 试验 N:温度变化试验方法
GB4798.1 电工电子产品应用环境条件 贮存
4 检验测试设备和测试方法
测试设备: DW4824型晶体管特性图示仪(或 QT2型晶体管特性图示仪等)
测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置
数字万用表、不锈钢镊子等应手工具
晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。
人员素质: 能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试, 工作态度
严谨、细心,持有检验测试操作合格证或许可证。
测试准备:
晶体管特性图示仪每次开启, 必须预热五分钟。 检查确认图示仪的技术状态完好方能进
行测试。
每种器件在测试前都要做外观检查:管脚应光洁、明亮,管身标志清晰、无划痕,封装
尺寸应符合订货要求。
4.1 绝缘栅 N 沟道双极晶体管 IGBT
主要测试参数:
IGBT 的特性曲线
CES
IGBT 的饱和压降 V
IGBT 的栅极阈值电压 VGE (th )
CER
IGBT 的击穿电压 V
测试方法:
现将上述特性参数的测试方法分述如下。
4.1.1 测 IGBT 的输出特性曲线
按附表 1 “常规测试 / 输出特性曲线”栏、测 IGBT 的要求,调整晶体管特性图示仪各选
择开关的档位。正确连接相应的 IGBT 测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测
的 IGBT,图示仪即显示一簇该 IGBT 的输出特性曲线。
该线簇应均匀、 平滑、 无畸变, 为合格 (如图 1a 所示)。否则为不合格 (如图 1b 所示)。
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图 1
4.1.2 测 IGBT 的饱和压降 VCES
在特性曲线中选择 VGE=4.5V 的一条曲线,它与 I C=7.0A 直线的交点所对应的 VC 电压值
GE C CES
就是所测试的 IGBT 在 V =4.50V 、 I =7.0A 时的饱和压降 V 。
CES
V < 3.0V 为合格。否则为不合格。
4.1.3 测 IGBT 的转移特性曲线
按附表 1 “常规测试 / 转移特性曲线”栏、测 IGBT 的要求调整晶体管特性图示仪各选择
开关的档位。正确连接相应的 IGBT 测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测的
IGBT,图示仪即显示一簇该
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