(整理完)电子技术专科网上作业题及参考答案20121114(电气专业).pdf

东北农业大学网络教育学院 电子技术专科网上作业题 半导体器件 一、 判断题 1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替 晶体管。 ( ) 2 ．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。 ( ) 3 ．P 型半导体的多数载流子是空穴，因此 P 型半导体带正电。 ( ) 4 ．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由 P 型和 N 型半导体 中少数载流子的漂移运动形成的。 ( ) 5 ．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。 ( ) 6 ．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由 P 型和 N 型半导体 中多数载流子的扩散运动形成的。 ( ) 7 ．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。 ( ) 8 ．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。 ( ) 9 ．常温下，硅晶体管的 U BE ＝0 ．7V ，且随温度升高 U BE 增加。 ( ) 10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。 （ ） 11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连 的是二极管的正极，另一端是负极。 ( ) 12．N 型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。 ( ) 13．在 N 型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少 数载流子。 ( ) 14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 ( ) 15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入 基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。 ( ) 16．当外加电压为零时， PN 结的结电容最小。 ( ) 17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其 反向电流迅速增大。 ( ) 18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流， 且 UCE 小于 BU CEO 时，晶体管就能安全工作。 ( ) 19．晶体管的电流放大系数 β值越大，说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的 β值越大越好。 ( ) 20 ．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。 ( ) 21 ．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。 ( ) 22 ．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。 ( ) 23 ．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。 ( ) 24 ．一般说来，晶体管的交流电流放大系数 β随温度的变化而变化，温度升高，则 β增大。 ( ) 25 ．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。 （ ） 26 ．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关， IB 愈小，输入电阻愈小。 (