声表产品生产制作工艺介绍.pptxVIP

声表面波器件制作工艺介绍一.声表面波器件的用途滤波器: 电子通讯 移动设备 无线宽带 广播电视-------------------------------谐振器: 移动设备 无匙安全系统射频识别： 鉴别：身份识别， 物体识别， 运输方式跟踪-----------------------------------------传感器： 感知：压力,温度 液体，气体 生物传感-----------------------------------------特殊应用：特殊压电材料， 改变物理特性 二.声表面波器件工作原理声表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器（IDT）。它采用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜，把设计好的两个IDT的掩膜图案，利用光刻方法沉积在基片表面，分别作为输入换能器和输出换能器。声转换为电（正压电效应）电转换为声（逆压电效应） 工作原理是输入换能器将电信号变成声信号，沿晶体表面传播，输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。换能器空间图形 对应脉冲响应图形 通过指条位置和重迭长度的设计即可控制换能器的脉冲响应，从而也就控制了换能器的频率响应 SAW滤波器构成及频响压电基片+IDT（半导体工艺） 电-- 声（SAW）--电 Hfilter(f)=HIDT1(f) *HIDT2(f)三.主要声表面波器件用晶片材料LT、LN主要功能压电效应---表面波器件热释电效应----红外探测电光效应---光开关、光调制光折变效应-----全息存储非线性光学效应-----激光倍频 从上面可以看出LN、LT是一种多功能晶体，我们在实践中注意各种性能对使用和生产相互影响。比如热释电产生静电吸尘、静电击裂晶片影响．常用表面波切型简称主面及传播方向简称主面及传播方向128 °Y-XLN128 ° 旋转Y切X向传播铌酸锂3 6 °Y-XLT36 ° 旋转Y切X向传播钽酸锂64 °Y-XLN64° 旋转Y切X向传播铌酸锂42 °Y-XLT42 ° 旋转Y切X向传播钽酸锂Y-Z LNY切Z向传播铌酸锂45 °X-ZLBO45 ° 旋转X切Z向传播四硼酸锂X-112.2 °YLTX切112.2 °旋转Y向传播钽酸锂ST-XQUARTZST切X向传播α-石英晶片背面的加工粗糙度碳化硅规格号100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范围160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金胜3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0 其他0.8-1.5DQ备注晶片背面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差别。四.声表面波器件制作工艺流程1.前工序基片清洗镀金属膜涂胶曝光显影腐蚀探针测试镀保护膜涂胶曝光显影镀金属膜剥离后工序湿法工艺①.镀膜铝晶片②.涂光刻胶光刻胶晶片铝③.曝光UV 光光刻胶晶片铝光刻胶晶片铝④.显影⑤.刻蚀光刻胶晶片铝⑥.去胶晶片铝B、剥离工艺①.涂光刻胶光刻胶晶片②.曝光UV 光光刻胶晶片③.显影光刻胶晶片④.镀膜铝光刻胶晶片⑤.去胶铝晶片制作完成图形主要工艺－清洗全自动清洗机主要工艺－清洗STANGL精清洗系统 系统精清洗部分由以下构成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。 STANGL精清洗采用的是湿法批量式清洗，所用的工艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式，因该清洗系统设计时未考虑酸洗槽，有些晶片在清洗前得预先经过一次酸浸泡处理工艺。 该系统专用于Φ3″和Φ4″标准晶圆片的清洗，日产量为300-400片/班（8小时）。主要工艺—镀膜 设备名称: BAK-SAW 电子束镀膜机 ? 主要技术指标 ? 均匀性 单片：±1% 片与片： ±2% 批与批： ±2% ?镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU ? 产量3 英寸 36片/炉 4 英寸 18片/炉 ? 适用工艺 ? 剥离工艺和湿法工艺 ? 单层和多层镀膜主要工艺—镀膜 设备名称: KDF磁控溅射镀膜机? 主要技术指标 ? 均匀性 单片±2%〔AL) ±2～3%(sio2) 片与片±3～5% (AL) ±5～8% (SIO2) 批与批±3 ～ 5% (AL) ±5～8% (SIO2)　 ? 镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI ? 产量 3英寸16片/炉、4英寸9片/炉适用工