xpsc的电子结合能.doc

XPS_Database C1s 的电子结合能： Energy (eV) Element Chemical bonding Ref 277.1 C1s Graphite C (fluoration F2-HF sur fibre Torayca) 117 278.4 C1s C-sec (fluoration avec F2-HF sur fibre Torayca) 117 279.2 C1s CH4 136 279.6 C1s CF (fluoration avec F2-HF sur fibre Torayca) 117 280.7 C1s HfC 111 281.3 C1s TiC 150 281.3 C1s C-H SiO2/CaO=2 et N(Al2O3)=0,102 ou 0,25 ap bomb 27 281.4 C1s TiC 197 281.4 C1s TiC(100) using a photon energy between 330 and 380 eV 180 281.4 C1s C-H verre SiO2-Al2O3-CaO à1500° C ap bomb ionique 27 281.6 C1s C-Ti 43 281.6 C1s TiC(100) using a photon energy between 330 and 380 eV 180 281.6 C1s HfC 47 281.9 C1s carbures 45 282 C1s C-Ti in the TiN coatings after erosion 43 282 C1s TiC 47 282 C1s a single carbide species (C4-) as observed in a-C:H/Al 223 282.1 C1s TiC(100) using a photon energy between 330 and 380 eV 180 282.1 C1s carbure de titane 199 282.1 C1s Carbure de titane (Etching 26 H, décapage 26 H) 152 282.3 C1s Al-C 23 282.4 C1s C-Si (SiC) 226 282.5 C1s TaC 47 282.7 C1s WC 111 282.7 C1s C-O-Al (PET +Al/C=0.8) 88 282.8 C1s C-Si dans SiC 226 282.8 C1s liaison pi-CO sur Mo et N ou forme carbure 212 282.8 C1s C ds WC 198 283 C1s C ds PMDA-ODA T=250°C av 1,0 nm de Cr(Cr-carbure) 131 283.2 C1s pic attribué au carbure 182 283.2 C1s forme carbure attribué au C ds Cr3C2 après bomb 2h 212 283.3 C1s BaC2 150 283.3 C1s pic intensif (après bomb) 212 283.3 C1s pic seul avec 70 at% de Cr 212 283.3 C1s Graphite C (fluoration F2-HF sur fibre C320.00A) 117 283.3 C1s WC 47 283.5 C1s Al-O-C(PET) 56 28 .5 C1 -(C*H2-CH )n 5 283.5 C1s C diamant 147 283.5 C1s après adsorp°de C2H4 sur le Pt(111) à 100K (220K) 37 283.6 C1s C-O-Al (PET type A) 39 283.6 C1s satellite Cr3C2 (surf non bombardée) 212 283.7 C1s C6H5X avec X= Anisole (OCH3) 136 1 283.7 C1s V6Mo4O25-MoO3-As2O3 systeme 219 283.8 C1s CH2 + cycle benzénique ( PET) 88 283.8 C1s TiO2-As2O5 systeme 219 283.9 C1s AlN/PPC binder burnout in nitrogen 94 283.93 C1s C-H 193 284 C1s après adsorp°de C2H2 sur le Pt(111) à 10