mems工艺(4体硅微加工技术)梁庭(1).pptx

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MEMS工艺—— 硅微加工工艺(腐蚀);内容;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想:通过去掉多余材料的方法,实现结构的加工。(雕刻——泥人);;图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 ;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;;硅的各向异性腐蚀;硅的各向异性腐蚀技术;湿法腐蚀的化学物理机制;湿法腐蚀的化学物理机制;硅腐蚀机理(P62) ;;;;各向异性腐蚀的特点: 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢,速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右,从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1.KOH system;1.KOH system;KOH的刻蚀机理;2.EDP system;2.EDP system;EDP腐蚀条件;3、N2H4 (联氨、无水肼);4、TMAH ;腐蚀设备;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 ;影响腐蚀质量因素;?111?面凹角停止;?110?方向硅片的腐蚀特点 ;(1) 溶液及配比 ;(2) 温度;各向同性腐蚀;优点: 无尖角, 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜;Etching Bulk Silicon ;车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率(有局限性) 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法(正相或负相);;三、自停止腐蚀技术;(1) 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP:5?1013/cm3) (2)(111)面停止 (3) 时间控制 (4)P-N结自停止腐蚀 (5)电化学自停止腐蚀;自停止腐蚀典型工艺流程;1、薄膜自停止腐蚀;2 、重掺杂自停止腐蚀技术;高掺杂硼有两个缺点: 与标准的CMOS工艺不兼容 导致高应力,使得材料易碎或弯曲 重掺杂硼的硅腐蚀自停止效应比重掺杂磷的硅明显,所以工艺中常采用硼重掺杂硅作为硅腐蚀的自停止材料。;重掺杂自停止腐蚀工艺流程;3、(111)面自停止腐蚀;(111)面自停止腐蚀工艺流程;4、电化学自停止腐蚀;5、 P-N 结自停止腐蚀;腐蚀保护技术;薄膜残余应力问题;凸角腐蚀补偿;凸角腐蚀补偿;目前比较常见的补偿方式;(100)面双方块凸角腐蚀补偿;(100)面双方块凸角腐蚀补偿;(100)面双方块凸角腐蚀补偿;1、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。5月-205月-20Sunday, May 24, 2020 2、阅读一切好书如同和过去最杰出???人谈话。12:21:4412:21:4412:215/24/2020 12:21:44 PM 3、越是没有本领的就越加自命不凡。5月-2012:21:4412:21May-2024-May-20 4、越是无能的人,越喜欢挑剔别人的错儿。12:21:4412:21:4412:21Sunday, May 24, 2020 5、知人者智,自知者明。胜人者有力,自胜者强。5月-205月-2012:21:4412:21:44May 24, 2020 6、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。24 五月 202012:21:44 下午12:21:445月-20 7、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。。五月 2012:21 下午5月-2012:21May 24, 2020 8、业余生活要有意义,不要越轨。2020/5/24 12:21:4412:21:4424 May 2020 9、一个人即使已登上顶峰,也仍要自强不息。12:21:44 下午12:21 下午12:21:445月-20 10、你要做多大的事情,就该承受多大的压力。5/24/2020 12:21:44 PM12:21:4424-5月-20 11、自己要先看得起自己,别人才会看得起你。5/24/2020 12:21 PM5/24/2020 12:21 PM5月-205月-20 12、这一秒不放弃,下一秒就会有希望。24-May-2024 May 20205月-20 13、无论才能知识多么卓著,如果缺乏热情,则无异纸上画饼充饥,无补于事。Sunday, May 24, 202024-May-205月-20 14、我只是自己不放过自己而已,现在我不会再逼自己眷恋了。5月-2012:21:4424 May 202012:21

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