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- 2020-06-11 发布于四川
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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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中华人 民共和 国国家 标准
/ —
犌犅犜6624 2009
代替 / —
GBT6624 1995
硅抛光片表面质量目测检验方法
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狆 狔 狆
20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜6624 2009
前 言
本标准代替 / — 《硅抛光片表面质量目测检验方法》。
GBT6624 1995
本标准与原标准相比主要有如下变化:
———修改了高强度汇聚光源照度要求,由不小于 16000lx改为不小于230000lx;
———增加了净化室级别要求;
———扩大了照度计测量范围为0lx 330000lx;
~
———增加了测量长度工具;
———更改检测条件中光源与硅片之间的距离要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准主要起草单位:上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:徐新华、王珍。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为:
——— / — 、 / — 。
GBT6624 1986GBT6624 1995
Ⅰ
/ —
犌犅犜6624 2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
1 范围
本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根
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