半导体物理学第五章(2).pdf

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直接俄歇复合 在非本征情形下, 对于n型、p型半导体,τ可分别约 化为 (5-7-21) 1 1 τ τ 2 2 n0 cn p 0 cp 在本征情形下, 则有 1 1 τ 2ni 2 (cn +cp ) 2(g n +g p ) (5-7-22) 1 τ (n +p )(c n +c p ) (5-7-20) 0 0 n 0 p 0 不同材料的俄歇系数可有较大的差异。对于极值 位于k=0 的具有直接禁带的简单能带,由量子力 学计算可得到: A k T m ε cn n ( B )3/ 2 exp(− n g ) N N ε m +m k T C V g n p B 2 4 2(2π) e m A B n h3 2 2 (1 m / m )1/ 2 (1 2m / m ) n ε ε + + 0 n p n p B 是数量级为1的系数。 n A k T m ε n B 3/ 2 n g cn ( ) exp(− ) N N ε m +m k T C V g n p B 对于c ,其激活能(阈值能量)为m ε/(m +m ) 。 n n g n p • 对于直接禁带情形,由于能量守恒和动量守恒 的限制,只有具备一定的动量和相应的动能的 载流子,才能实现俄歇复合。 • 处于k=0的动能和动量为零的一对电子、空穴, 在复合过程中不能提供必要的动量来激发出另 一个高能量的电子,以实现俄歇复合。 • 阈值能量和ε 以及电子、空穴有效质量的相对大 g 小有密切关系。 若m =m ,则激活能为 n p 0.5ε 但若m =10m ,则 g; p

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