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直接俄歇复合
在非本征情形下, 对于n型、p型半导体,τ可分别约
化为
(5-7-21)
1 1
τ τ
2 2
n0 cn p 0 cp
在本征情形下, 则有
1 1
τ
2ni 2 (cn +cp ) 2(g n +g p ) (5-7-22)
1
τ
(n +p )(c n +c p ) (5-7-20)
0 0 n 0 p 0
不同材料的俄歇系数可有较大的差异。对于极值
位于k=0 的具有直接禁带的简单能带,由量子力
学计算可得到:
A k T m ε
cn n ( B )3/ 2 exp(− n g )
N N ε m +m k T
C V g n p B
2 4
2(2π) e m
A B
n h3 2 2 (1 m / m )1/ 2 (1 2m / m ) n
ε ε + +
0 n p n p
B 是数量级为1的系数。
n
A k T m ε
n B 3/ 2 n g
cn ( ) exp(− )
N N ε m +m k T
C V g n p B
对于c ,其激活能(阈值能量)为m ε/(m +m ) 。
n n g n p
• 对于直接禁带情形,由于能量守恒和动量守恒
的限制,只有具备一定的动量和相应的动能的
载流子,才能实现俄歇复合。
• 处于k=0的动能和动量为零的一对电子、空穴,
在复合过程中不能提供必要的动量来激发出另
一个高能量的电子,以实现俄歇复合。
• 阈值能量和ε 以及电子、空穴有效质量的相对大
g
小有密切关系。
若m =m ,则激活能为
n p
0.5ε 但若m =10m ,则
g; p
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