半导体物理学第六章（2）.pdf

空间电荷区产生复合电流 在上面的讨论 中略去了空间 电荷区内的产 生和复合的贡 献。在有些情 形下，例如对 于Ge，由上述 近似得到的式 (6-1-19)能很好 地描述其伏安 特性，如图6.7 所示。 但在另一些情 形下，例如对 于Si，则不然。 这是因为在Si 的情形下空间 电荷区的产生 和复合电流可 以有重要贡献。 在一般情形下，可以把pn结的电流表示为 j j (x ) +j (x ) +j (6-1-22) n p p n rg 上式右边的三项依次分别表示电子扩散区、空穴 扩散区和空间电荷区的产生或复合电流。 下面分别讨论正、反向偏压下的复合电流j 和产生 r 电流j g 。可以利用复合速率R把复合电流表示为 x n j r e∫ Rdx (6-1-23) x p N r r R t n p (np −n p ) (5-8-22) 0 0 + + + r (n n ) r (p p ) n 1 p 1 为了简化，假设r =r =r，E =E ，因而n =p =n ，并 n p t i 1 1 i 用1/τ表示N r 。式(5-8-22)可以简化为 t 2 1 np −ni R (6-1-24) τ + + n p 2ni 下面考虑反向偏压下的产生电流j g 。 1 np −ni 2 R n p +2n ~d τ + i E i E