半导体物理学第三章.pdf

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第三章 电子和空穴的平衡统计分布 半导体的电导率直接依赖于导带电子和价带空穴 (统称载流子)的多少。 在热平衡的半导体中,电子和空穴依赖于热激发 产生。载流子的多少与温度有密切联系。 1 平衡分布是动态平衡 热激发不断产生电子空穴对;电子又不断跃迁回价带 或杂质能级的空状态进行电子空穴的复合。 在热平衡时,这两个方向相反的过程速率相等,从而 保持宏观上载流子浓度不变。 2 平衡时电子在能级上的分布服从一定的统计规律, 它与激发电子和空穴的具体过程无关。 这一章就是要讨论在包括有杂质存在的半导体中载 流子的数目及其随温度的变化。 3 电子的自旋角动量为/ 2 ,是费米子,受泡利不 相容原理制约,遵守费米-狄拉克统计。 能量为E 的电子状态被电子占据的几率f 为 1 f (E ) E −E (3-1-1) F 1+e kT 4 E 称为费米能级,是平衡电子系统的一个重要参 F 量。 k为玻尔兹曼常数。f (E)可理解为能量为E 的状态上的平均电子数。 5 §3.1 费米分布函数 1 f (E ) E −E (3-1-1) F 1+e kT 由上式可见,能量为E 的状态被电子占据的几率 取决于该状态的能级与费米能级E 之差E −E 和 F F kT 的比值。 6 若E=E ,即(E −E )/kT=0,则f(E)= 1/2 . F F 若E −EF 0,则f (E) 1 /2; 若E 比E 高出若干kT, 即(E −E )/kT l ,则占据几率 F F f (E) 1. 若EF −E 0,则有f (E) 1 /2 . 若 E 低 于 EF 若 干 kT , 即 (EF −E)/kTl , 则 exp[(E −E )/kT] ≈0, f (E)接近于1. F 7 因此有 (E −E ) /kT 1,f (E) ≈0 F (E −E ) /kT = 0,f (E) = 1/2 (3

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