半导体物理学第六章(3).pdf

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下面我们讨论一下(耗尽近似下 )缓变结电容问题。 一种典型的情况是所谓线性缓变结。 界面 -xp 0 xn 1 在用扩散法制做的pn 结中,施主和受主杂质的分 布如图6.10所示,有效施主和受主浓度在两边分 别为ND−NA(n型侧)和NA −ND(p 型侧) 。这是两种 杂质补偿的结果。在界面附近的小范围内,有效 杂质浓度近似是线性变化的。若把坐标原点定在 界面处,电荷密度可由下式描述 ρ(x) Gx (6-2-26) 2 正负电荷总量为零要求 ∫Gxdx ∫Gxdx p 区 n 区 d x x (6-2-27) n p 2 3 d 2 V Gx − (−xp ≤x ≤0) (1) 2 dx εε 0 d 2 V Gx dx2 −εε (0 ≤x ≤xn ) (2 ) 0 4 对式(1)积分并令 E (−xp ) 0 可得 2 G 2 2 Gxp E x x −x E (0) − ( ) ( p ) 2εε0 2εε0 令V(−x )=0 p 3 3 G x +xp 2 ( ) [ x (x x )] V x − − p + p (−xp ≤x ≤0) 2εε 3 0 3 Gx V(0) p 3εε 0 5

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