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- 2020-07-27 发布于四川
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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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中华人民共和国国家标准
/ —
犌犅犜13388 2009
代替 / —1992
GBT13388
硅片参考面结晶学取向 射线测试方法
犡
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国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页 狔 狔 狇
20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜13388 2009
前 言
本标准修改采用 《硅片参考面晶向 射线测试方法》。
SEMIMF8470705 X
本标准与 SEMIMF8470705相比,有以下不同:
———将 SEMI标准中引用的部分国际标准,采用直接引用对应的我国标准;
———主要格式内容按 / 的要求编排。
GBT1.1
本标准代替 / — 《硅片参考面结晶学取向 射线测试方法》。
GBT13388 1992 X
本标准与 / — 相比,主要有如下变化:
GBT13388 1992
———增加了方法 ———劳厄背反射 射线法;
2 X
———取消了硅片的直径和参考面长度的具体规定;
———修订前的国标中规定“该方法不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内
的投影与硅片表面法线之间夹角不小于 的硅片的测量”;而 ,仅适用于角
3° SEMIMF8470705
度偏离从 到 的硅片;
-5° +5°
———规范性引用文件有所增加;
———修改了精密度采用了 中通过对一个硅片进行 次(每面 次)的测量,得
SEMIMF8470705 50 25
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