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半导体清洗设备 半导体湿法设备架构 湿法设备主要架构: ? 硬件架构方面:主要由清洗槽、伺服驱动系统、 层流净化系统、 电气控制系统、 药液自动补液系统、干燥装置及兆声波/恒温辅助系统等几部分组成 ? 清洗技术方面:采用改良RCA清洗工艺 及兆声波清洗技术、 二流体技术来达到显著的硅片表面清洗效果。 ? 设计加工方面:高端半导体湿法设备要求在1000级或以上的无尘室进行设备加工。 清洗槽 槽体设计 全溢流的循环槽体设计 药液补液系统 层流净化系统 温度控制系统 防漏槽体 控制系统 电气控制系统: 采用国外先进的PLC全自动控制,工艺配方功能; 设备部件 案例 EKC清洗设备 一、设备技术特点: 全自动上下料,自动补液, Bellows Pump 循环药液 管道加热控制,温控精度±3°C 可配备SUS316-EP、PVDF、PTFE、Qz等槽体 配备2套自动机械臂 可配备HEPA/ULPA过滤器 IPA干燥系统 二、主要指标: 对应6~8 inch晶片 药液管道对应过滤等级0.1μm 多种Recipe 设计 多级密码控制 电导率监测 手动式晶片6槽超声波清洗设备 一、设备特点: Si及化合物半导体对应(光Device其它) 全PVC制作 高效率的兆声波穿透率 RCA对应 二、主要指标: 对应Φ2~Φ8 6槽水平Layout方式 18MΩ超纯水对应 5~20L/min 案例 卧式石英炉管清洗机 设备参数 设备尺寸:L4.5m x W1.1m x H2.0m 炉管尺寸:Ф300 x max 3500(mm) (根据客户需求定制) 清洗步骤:放置炉管-注酸-浸泡- 酸回收-DIW喷淋-排水- 气枪吹干-取出炉管 主要特点:进口耐酸材质 外型美观 炉管正反转清洗 自/手动换液清洗 循环过滤系统 案例 12槽清洗设备(上海先进) 一、设备特点: 对应6种药液可能SPM、HF、SC-1、SC-2 二、主要指标: 对应Φ2~Φ8 附属过滤系统 10L/min DIW液体加热器 (50kw另购) 案例 药液供给系统 一、设备技术特点: Bellows Pump 供液 全PFA管路 药液箱配备脚轮 全塑料结构 二、主要指标: 对应HF、SC1、SC2、SPM、KOH、NaOH等多种工艺需求药液 可对应IPA、丙酮、酒精等多种有机药液 案例 王丽娟 北京中联科利技术股份有限公司 内部机密 www. c u c t e k. com 半导体湿法工艺及公司设备简介 半导体集成电路制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。湿法工艺作用是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学药液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子、自然氧化层及有机物之杂质。 集成电路湿法工艺的目的 批处理清洗设备 单晶圆清洗设备 IC芯片主要工艺过程 集成电路工艺过程 硅片投入 表面预清洗 化学气相沉积 物理气相沉积 扩散/氧化 光刻 等离子刻蚀 离子注入 光阻去除 表面清洗(后道) 硅片入库 湿法设备在8寸IC芯片制造过程中的应用 湿法设备的应用 RCA清洗 H3PO4刻蚀 SPM清洗 CCSS系统 EKC 清洗 HF 清洗 SC1清洗 IC芯片清洗工艺分类 集成电路湿法工艺 前段灰化后清洗 35% -硫酸过氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 热氧化前预清洗 30% -标准清洗工艺(RCA Clean) 3. 后段等离子刻蚀后清洗 20% -有机物湿法剥离(EKC Clean) 其他清洗(CMP后和特殊清洗) 15% -表面清洗(SC1 Clean) 化学品符号 名称 DIW 去离子水 H2SO4 硫酸 H2O2 双氧水 HF
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