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完整word版半导体物理填空题武汉理工.doc

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纯净半导体中掺族元素的杂质当杂质电离时释放电子这种杂质称施主杂质相应的半导体称型半导体当半导体中载流子浓度的分布不均匀时载流子将做扩散运动在半导体存在外加电压情况下载流子将做漂移运动其运动速度正比于电场比例系数称为迁移率标志着半导体处于平衡状态当半导体掺入的杂质含量改变时乘积改变否不变当温度变化时改变否改变非平衡载流子通过复合效应而消失非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命寿命与复合中心在禁带中的位置密切相关迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程

1.纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质;相应的半导体称 N 型半导体。 2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。其运动速度正 比于 电场 ,比例系数称为 迁移率 。 标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n改变否? 不变 ;当温度变化时,n改变否? 改变 。 2p=npp3.noiooooo 4.非平衡载流子通过 复合效应 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关。

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