VASP中电子态密度计算的流程.doc

VASP中电子态密度计算的流程 主要分成三步：一、结构优化；二、静态自洽计算；三、非自洽计算 以Al－FCC为例子 第一步 结构优化 输入文件（INCAR, POTCAR, POSCAR, KPOINT）???? INCAR文件 System=Al ISTART=0 ISMEAR=1 SIGMA=0.2 ISPIN=2 GGA=91; VOSKOWN=1; EDIFF=0.1E-05; EDIFFG=-0.01 IBRION=2 NSW=50 ISIF=2 (OR 3) NPAR=10 ? POTCAR 文件直接在势库中拷贝 ? POSCAR文件 Al 4.05 1.0? 0.0? 0.0 0.0? 1.0? 0.0 0.0? 0.0? 1.0 4 Direct 0.0??????? 0.0? 0.0 0.5??????? 0.5? 0.0 0.5??????? 0.0? 0.5 0.0? 0.5? 0.5 ? KPOINT 文件 Automatic generation 0 Mohkorst Pack 15?? 15?? 15 0.0? 0.0? 0.0 ? 第二步 静态自洽计算 INCAR： PREC = Medium，ISTART = 0，ICHARG = 2，ISMEAR = -5 输入文件（INCAR, POTCAR, POSCAR, KPOINT）???? INCAR文件 System=Al ISTART=0 ISMEAR=1 SIGMA=0.2 ISPIN=2 GGA=91; VOSKOWN=1; EDIFF=0.1E-05; EDIFFG=-0.01 #IBRION=2 #NSW=50 #ISIF=2 (OR 3) NPAR=10 ? POTCAR 文件直接在势库中拷贝 ? POSCAR文件 Al 4.05 1.0? 0.0? 0.0 0.0? 1.0? 0.0 0.0? 0.0? 1.0 4 Selective Dynamic Direct 0.0?? ??0.0 ??0.0?? T T T 0.5?? 0.5 ??0.0?? T T T 0.5?? 0.0 ??0.5?? T T T 0.0 ??0.5 ??0.5?? T T T ? KPOINT 文件 Automatic generation 0 Mohkorst Pack 15???? ?15?? 15 0.0?? ?0.0? 0.0 ? 第二步计算是在结构优化的结果上进行的，所以开始第二步的时候，将第一步中的输入文件INCAR, POTCAR, POSCAR, KPOINT 以及 C* 文件放入静态自洽计算中去，并且将CONTCAR 拷贝到 POSCAR中，然后运行VASP。计算结果中的Fermi能是准确的，需要记下。 ? 第三步 非自洽计算 INCAR： PREC = Medium，ICHARG = 11，ISMEAR = -5，LORBIT = 10 或者 11（这时可不设RWIGS)，ISTART = 1 ? 在第二步自洽计算的基础上进行，修改输入文件INCAR, POTCAR, POSCAR, KPOINT。 INCAR文件 System=Al ISTART=1 ISMEAR=-5 SIGMA=0.2 ICHARG=11 RWIGS=1.402 ISPIN=2 GGA=91; VOSKOWN=1; EDIFF=0.1E-05; EDIFFG=-0.01 #IBRION=2 #NSW=50 #ISIF=2 (OR 3) NPAR=10 ? POTCAR 文件直接在势库中拷贝 ? POSCAR文件 Al 4.05 1.0? 0.0? 0.0 0.0? 1.0? 0.0 0.0? 0.0? 1.0 4 Selective Dynamic Direct 1.0?? ??0.0?? 0.0?? T T T 0.5?? 0.5?? 0.0?? T T T 0.5?? 0.0?? 0.5?? T T T 0.0?? 0.5?? 0.5?? T T T ? KPOINT 文件 Automatic generation 0 Mohkorst Pack 21?? 21? 21 0.0? 0.0? 0.0 ? VASP中文手册：在进行能带和DOS计算时，ISMEAR 不能使用N阶MP方法。因为MP方法在空轨道上有负的占据，所以求得的能带和DOS是不正确的。但是从其它地方看到---“提示：在计算能带结构时，采ISMEAR = 0或1对结果的影响非常小，可以认为是一样的。但是不能采用ISMEAR = -5 或-4。”ISMEAR到底多少？ ? 计算能带：ICHARG = 11导体的话，用ISMEAR=1；半导体或绝缘体，用ISMEAR=0 。 计算 DOS： IC