电工学秦曾煌下册电子技术详解教案资料.ppt

电工学秦曾煌下册电子技术详解;导 体：自然界中很容易导电的;半导体的导电机理不同于其它物质;14.1.1 本征半导体一、本;本征半导体：完全纯净的、结构完;硅和锗的共价键结构共价键共用电;共价键中的两个电子被紧紧束缚在;二、本征半导体的导电机理在绝对;+4+4+4+4自由电子空穴束;2.本征半导体的导电机理+4+;温度越高，载流子的浓度越高，本;14.1.2 N 型半导体和P;一、N 型半导体+4+5+4+;N 型半导体中的载流子是什么？;二、P 型半导体在硅或锗晶体中;三、杂质半导体的示意表示法－－;4. 在外加电压作用下，P ;PN 结的形成在同一片半导体基;P型半导体－－－－－－－－－－;P型半导体－－－－－－－－－－;－－－－－－－－－－－－－－－;1.空间电荷区中几乎没有载流子;PN结的单向导电性 PN 结加;一、PN 结加正向电压内电场外;二、PN 结加反向电压－－－－;总结： 1、加正向电压时，;14.3 二极管发光 ;无标题;一、基本结构：PN 结加上管壳;UI硅管0.5V锗管0.1V反;三、主要参数1. 最大整流电流;3. 反向峰值电流 IRM指二;UI导通压降实际二极管：正向导;UI 理想二极管：正向导通 -;二极管电路分析 分析方法： ;二极管：死区电压=0 .5V，;例2：已知：管子为锗管，VA ;例3：已知：管子为锗管，VA ;FD1D2AB-12V例4：1;FD1D2AB+12V例5：设;ui 8V，二极管导通，可;例7：二极管的应用 ---- ;作业14.3.214.3.5返;UI硅管0.5V锗管0.1V反;UI 理想二极管：正向导通 -;符号 ;(1) 稳定电压 UZ ;例1：已知：Uz = 12V，;负载电阻：例2：稳压管的技术参;uoiZDZRiLiuiRL联;§14.5 晶体管(a) 金;14.5.1 基本结构常见：硅;NPN型晶体管PNP型晶体管发;基区：最薄，掺杂浓度最低发射区;BECNNP 三极管放大的外部;晶体管电流放大的实验电路  ;IB(mA)IC(mA)IE(;ICIEIB+UCE?+ ;晶体管内部运动发射区向基区扩散;电流分配和放大原理BECNNP;BECNNPEBRBECIEI;直流电流放大倍数：ICE 与 ;14.5.3 特性曲线 ;输入回路输出回路;一、输入特性曲线UCE ?1V;IB(?A)UBE(V)204;二、输出特性曲线IC(mA)1;IC(mA)1234UCE(V;IC(mA )1234UCE;输出特性三个区域的特点放大区：;(2) 饱和区：发射结正偏，集;(3) 截止区：发射结反偏，集;例1: ? = 50， USC;T 管工作于放大区ICUCEI;解：USB =5V时:ICUC;已???UCE=6V时：IB=40;三、主要参数 前述电路中;2.集-基极反向截止电流 IC;4.集电极最大允许电流ICM ;6. 集电极最大允许功耗PCM;例2：现测得放大电路中两晶体管;例2：已知：管子为锗管，VA ;§14.6 光电器件 发光二;结 束;此课件下载可自行编辑修改，仅供