电工学 电子技术期末复习,总结.ppt

电工学电子技术下册 期末总复习  弟一扁 电子器件与 电子电路基础  本篇的主要内容 半导体材料→本征半导体→P型、N型半导体 →PN结→半导体二极管 二极管的外特性、主要电参数 半导体二极管 个PN结) 二极管电路组成及电路分析  结构,导电机理 晶体三极管外特性,主要电参数 (二个PN结) 放大电路、开关电路组 CCCS 成及其电路分析 结构,导电机理 场效应管 (电场控制 外特性,主要电参数 器件) 放大电路、开关电路组 VCCS 成及其电路分析 第一章半导体二极管及电路分析  1.1.1半导体二极管的结构、特性与参数 二极管的结构与类型 二极管由一个叫线正() 加相应的电极引线 和管壳封装而成。 电路符号 空心三角形箭头表示实际电流方向 电流从P流向N  本征半导体的电特性 硅单晶体的原子 结构排列的非常整 共价健 价t 电子 齐 每个原子外层的 四个电子与相邻四 空穴 (。自由电子周的原子外层电子 形成稳定的共价键 结构 品绝对零度时,价电子无法争脱本身原子核 束缚,此时本征半导体呈现绝缘体特性  在室温下,本征半导体非常容易受热 激发产生电子一空穴对;这时的载流子 浓度称本征浓度, 1;=P 共价 价电子 本征浓度随温 度的上升而增 大,所以本征 空穴 十自由电子载流子浓度是 温度的函数  二极管 ●杂质半导体 N型半导体(主要载流子为电子,电 子半导体) P型半导体(主要载流子为空穴,空 穴半导体)  PN结处载流子的运动 漂移运动 P型半导体 内电场N型半导体 Q9999⊙|④q内电场越强,就使 使空间电荷区变薄 9oo9Qoloo④⊕④ 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽,空间电 荷区越宽 扩散运动  伏安特性 反向击穿电 压UmR 导通压降:硅 管0.6~0.7V,锗 管0.2-0.3V 反向漏电流 死区电压硅管 (很小,μA级 0.5V,锗管0.2V