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3区的高度为两个阈值之和;噪声容限定义3 :逻辑阈值点
? 把Vit做为允许的输入高电平和
低电平极限
? VNLM=Vit
VNHM=VDD-Vit
? VNLM与VNHM中较小的
决定最大直流噪声容限
;数字电路具有可恢复逻辑特性;第四章 CMOS单元电路;CMOS反相器;直流特性和瞬态特性;瞬态响应;1、上升时间和下降时间;分析上升时间的等效电路;推导上升时间;上升过程充电电流的变化;分析下降时间的等效电路;2、反相器的传输延迟时间;反相器的速度;阶跃输入上升延迟时间;传输延迟时间:阶跃输入;传输延迟:非阶跃输入近似;延迟时间:影响因素;CMOS反相器的负载电容;提高反相器的速度;瞬态响应:仿真波形;电路的最高工作频率;环形振荡器的频率;CMOS反相器;CMOS反相器;CMOS 反相器的设计;噪声容限:逻辑阈值点
? 把Vit做为允许的输入高电平和
低电平极限
? VNLM=Vit
VNHM=VDD-Vit
? VNLM与VNHM中较小的
决定最大直流噪声容限
;可靠性:噪声容限;2、反相器的速度;3、反相器的面积;4、反相器的功耗;反相器设计:综合;例 题;αN=VTN/VDD=0.16, αP=-VTP/VDD=0.2 ;CMOS反相器;CMOS和NMOS反相器结构比较;1、饱和负载NMOS反相器 ;饱和负载反相器的直流电压传输特性;饱和负载反相器的上升时间;饱和负载反相器的下降时间;2、电阻负载NMOS反相器 ;电阻负载反相器的VTC;电阻负载反相器的瞬态特性;CMOS和NMOS反相器直流特性比较;直流电压传输特性比较;CMOS和NMOS反相器瞬态特性比较;负载电流比较;CMOS电路的优点
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