光伏电子工艺与实习 任务四 三极管认知 1.5常用电子元器件-三极管.ppt

图 三极管集电极、发射极的判别 ③根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点,来判断其材料。一般常温下,锗管正向压降为0.2～0.3V,硅管的正向压降为0.6～0.7V。根据图2.13电路进行测量,由电压表的读数大小确定是硅管还是锗管。 4． 三极管的质量粗判及代换方法 1） 判别三极管的质量好坏 2） 三极管的代换方法 通过上述方法的判断, 如果发现电路中的三极管已损坏, 更换时一般应遵循下列原则:  （1） 更换时, 尽量更换相同型号的三极管。  （2）无相同型号更换时, 新换三极管的极限参数应等于或大于原三极管的极限参数, 如参数ICM、PCM、U（BR）CEO等。  （3）性能好的三极管可代替性能差的三极管。 如穿透电流ICEO小的三极管可代换ICEO大的, 电流放大系数β高的可代替β低的。 （ 4）在集电极耗散功率允许的情况下, 可用高频管代替低频管， 如3DG型可代替3DX型。  （5）开关三极管可代替普通三极管, 如3DK型代替3DG型, 3AK型代替3AG型管。  常用电子元器件-三极管 主讲：高吉荣 光电工程学院 1.5.1 三极管的结构与分类 1．三极管的结构与电路符号 晶体三极管简称为三极管，它是由两个做在一起的PN 结连接相应电极再封装而成。 三极管的结构示意图如图所示,它是由三层不同性质的半导体组合而成的。按半导体的组合方式不同,可将其分为NPN型管和PNP型管。 1.5晶体三极管 按材料来分可分硅和锗管。 我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 图 三极管的结构示意图与电路符号 （a）结构示意图;（b）电路符号 三极管 三极管的外形结构 半导体三极管的分类： a;按频率分：高频管和低频管 b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 c;按机构分：PNP管和NPN管 d;按材质分：硅管和锗管 e;按功能分：开关管和放大 1.5.2 三极管的电流分配与放大作用 ? 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。图为NPN管的偏置电路。 三极管具有放大作用的外部条件 三极管内部载流子的运动 下图所示为三极管内部载流子运动的示意图。 ? 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程 图 三极管内部载流子的运动情况 以上式说明,在三极管中发射极电流IE等于集电极电流IC和基极电流IB之和。对于PNP管,三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反。其内部载流子的运动情况读者可自己分析。 由上图不难得出： 2. 三极管的电流放大作用 由于 固有 当ICBO可以忽略时，上式可简化为 把集电极电流的变化量与之比定义为三极管的 共发射极交流电流放大系数β，其表达式为 3．电流分配关系的测试 1）测试电路 下图所示为三极管各电极电流分配关系的测试电路。 图 电流分配关系测试电路 1.5.3 NPN型三极管共发射极的输入输出特性曲线 图三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线; (b)输出特性曲线 三极管各区的工作条件： 放大区：发射结正偏，集电结反偏： 饱和区：发射结正偏，集电结正偏； 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）。 1.5.4 三极管的判别及手册的查阅方法 ? 要准确地了解一只三极管类型、 性能与参数, 可用专门的测量仪器进行测试, 但一般粗略判别三极管的类型和管脚, 可直接通过三极管的型号简单判断, 也可利用万用表测量方法判断.下面具体介绍其型号的意义及利用万用表的简单测量方法。 1．三极管型号的意义 三极管