第五章 有机薄膜晶体管相关材料及其迁移性质.pdf

第五章有机薄膜晶体管相关材料及其迁移性质 典型结构：顶接触类和底接触类。 非典型结构：双有源层或双绝缘层等。 晶体管的工作电压特性 p-半导体： n-半导体： 负栅压和负漏压 正栅压和正漏压 晶体管最重要的性能参数 1、半导体材料的迁移率 2 、开关电流比 一、重要的p-型有机半导体材料及其迁移率 1、聚合物类 1.1、聚噻吩 电化学聚噻吩 -5 2 μFET ∼ 10 cm / v s ，Ion/Ioff ∼ 100 S n 可溶的聚噻吩的代表：P3HT P3HT 的迁移率强烈依赖于分子量大小 1.2、聚噻吩撑乙烯 电流开关比不高 1.3、噻吩-噻唑交替共聚物 1.4、芴-联噻吩交替共聚物F8T2 Si N HSi hexamethyldisilazane HMDS 1.5、梯形聚咔唑 1.6、MEH PPV 1.7、Phenoxazine based 1.8、Thiophene-pyridazine copolymers 1.9、Polyphenothiazine 2 、小分子类 2.1 、并五苯（pentacene ） 并五苯稳定性差 2.2 、并四苯（tetracene ） 卤代并四苯 2.3 、并五噻吩 2.4 、联四苯，联五苯，联六苯 2.5 、联六噻吩，联八噻吩 二烷基联六噻吩 2.6 、联四硒吩 2.7 、联混芳环 2.7.1 、芴-噻吩 2.7.2 、噻吩-苯环-噻唑 2.7.3 、苯环-噻吩 2.7.4 、TTF衍生物 2.7.5 、苯环-二噻吩并苯 2.7.7 、噻吩-蒽 2.8 、芳基撑乙烯 2.8.1 、噻吩撑乙烯 2.8.2 、咔唑-苯撑乙烯 2.8.3 、苯基-噻吩撑乙烯 2.9 、大环金属配合物 2.9.1 、酞氰铜 2.9.2 、酞氰氧钒 Organic field-effect transistors with VOPc/ p -6P films as active layers realized high mobility of above 1 cm2 /V s. 2.9.3 、卟啉铂 2.10 、其它 第五章有机薄膜晶体管相关材料及其迁移性质 二、重要的n-型有机半导体材料及其迁移率 1、小分子类 1.1、C60 6 I /I ∼ 10 on off 基板用TDAE处理： N N tetrakis(dimethylamino)ethylene 迁移率提高， TDAE N N 开关电流比下降