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BR8205
Rev.D Nov.-2016 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT23-6 塑封封装N沟道双MOS管。N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package.
特征 / Features
采用先进的沟槽技术，提供较小的导通电阻RDS(on) ，低栅极电荷，栅极工作电压低至2.5V。
advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 2.5V.
用途 / Applications
适用于电池保护电路，开关电路。
Use as a Battery protection , Switching application.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
6
1 5
*
*
2 *
4 *
3
印章代码 / Marking
Marking 8205
1 / 6
BR8205
Rev.D Nov.-2016 DATA SHEET
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数 符号 数值 单位
Parameter Symbol Rating Unit
Drain-Source Voltage VDS 20 V
Drain Current - Continuous I (Ta=25℃) 6 A
D
Drain Current - Continuous I (Ta=70℃) 4.8 A
D
Drain Current – Pulsed IDM 20 A
Gate-Source Voltage VGS ±8.0 V
Ma
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