嵌入式系统基础 S3C6410芯片的GPIO常用寄存器分类 GPIO寄存器配置.docx

嵌入式系统基础延伸阅读 嵌入式系统基础 GPIO寄存器配置总结 0、设置复用功能为GPIO??1、设置引脚特性，与硬件匹配? 2、配置寄存器举例? 字段解释：?2.0、SRE 数据位：0?SRE(Slew Rate Field)：转换速度字段？？？这是一个可以调整高低电平切换上升和下降时间速度的设置项，在一般的应用中使用芯片默认的设置就可以了。在需要微调SI或EMI性能时可以尝试修改配置?可选的值：?0 SRE_0_Slow_Slew_Rate — Slow Slew Rate：转换速度慢?1 SRE_1_Fast_Slew_Rate — Fast Slew Rate： 转换速度快 2.1、DSE 数据位5-3?DSE(Drive Strength Field)：驱动能力字段，作为输出时有效?可选的值：?000 DSE_0_output_driver_disabled_ — output driver disabled; 禁止输出?001 DSE_1_R0_260_Ohm___3_3V__150_Ohm_1_8V__240_Ohm_for_DDR_ — R0(260 Ohm @?3.3V, 150 Ohm@1.8V, 240 Ohm for DDR) -R0：260欧姆@3.3v；150欧姆@1.8v?010 DSE_2_R0_2 — R0/2 -R0的二分之一，一下类同?011 DSE_3_R0_3 — R0/3?100 DSE_4_R0_4 — R0/4?101 DSE_5_R0_5 — R0/5?110 DSE_6_R0_6 — R0/6?111 DSE_7_R0_7 — R0/7 2.2、SPEED 数据位7-6?Speed Field：速度字段?可选的值?00 SPEED_0_low_50MHz_ — low(50MHz) 最低50MHz?01 SPEED_1_medium_100MHz_ — medium(100MHz)中间值100MHz?10 SPEED_2_medium_100MHz_ — medium(100MHz)中间值100MHz?11 SPEED_3_max_200MHz_ — max(200MHz) 最大200MHz 2.3、ODE 数据位11?ODE(Open Drain Enable Field)：漏极开路？？？作为输出时有效，依靠外部电压，提高输出能力?可选的值：?0 ODE_0_Open_Drain_Disabled — Open Drain Disabled ：禁止漏极开路?1 ODE_1_Open_Drain_Enabled — Open Drain Enabled： 使能漏极开路 2.4、PKE 数据位12?PKE(Pull / Keep Enable Field)：拉/保持使能字段?可选的值：?0 PKE_0_Pull_Keeper_Disabled — Pull/Keeper Disabled： 禁止拉/保持?1 PKE_1_Pull_Keeper_Enabled — Pull/Keeper Enabled： 使能拉/保持 2.5、PUE 数据位13?PUE(Pull / Keep Select Field)：拉/保持选择字段？？？两者不能同时设置，?保持：使能输入状态保存器可以在IO供电NVCC_xxx关掉之后，使输入缓冲器的输出自动维持在关电之前的逻辑状态。其价值可以在低功耗的应用中得到体现。?使能输出状态保存器可以在内核供电关掉之后，使IO的输出自动维持在关电之前的逻辑状态(需要注意的是输出状态保存器不能与上下拉同时工作)。其价值同样可以体现在低功耗的应用中?可选的值：?0 PUE_0_Keeper — Keeper ：保持?1 PUE_1_Pull — Pull ：拉 2.6、PUS 数据位15-14?PUS(Pull Up / Down Config. Field)：上拉/下拉配置？？？主要作用是提高输出信号的驱动能力、确定输入信号的电平（防止干扰）?可选的值：?00 PUS_0_100K_Ohm_Pull_Down — 100K Ohm Pull Down ：100K欧姆的拉低?01 PUS_1_47K_Ohm_Pull_Up — 47K Ohm Pull Up ：47K欧姆的拉高?10 PUS_2_100K_Ohm_Pull_Up — 100K Ohm Pull Up ：100K欧姆的拉高?11 PUS_3_22K_Ohm_Pull_Up — 22K Ohm Pull Up ：22K欧姆的拉高 2.77、HYS 数据位16?HYS(Hyst. Enable Field)：磁