《单片机-11_参考源》.ppt

单片机-11_参考源 有三个电压基准输入引脚，允许每个ADC 和两个DAC 使用外部电压基准或片内电压基准输出。 通过配置Vref 模拟开关，ADC0 还可以使用DAC0 的输出作为内部基准，ADC1 可以使用模拟电源电压作为基准。 内部电压基准电路由一个1.2V、15ppm/℃（典型值）的带隙电压基准发生器和一个两倍增益的输出缓冲放大器组成。 内部基准电压可以通过VREF 引脚连到应用系统中的外部器件或电压基准输入引脚。 建议在VREF 引脚与AGND 之间接入0.1 μF 和4.7 μF 的旁路电容。 REF0CN: 电压基准控制寄存器(见上页) 位7-5： 未用。读 = 000b，写 = 忽略。 位4： AD0VRS：ADC0 电压基准选择位 0：ADC0 电压基准取自VREF0 引脚。 1：ADC0 电压基准取自DAC0 输出。 位3： AD1VRS：ADC1 电压基准选择位 0：ADC1 电压基准取自VREF1 引脚。 1：ADC1 电压基准取自AV+。 REF0CN: 电压基准控制寄存器 位2： TEMPE：温度传感器使能位 0：内部温度传感器关闭。 1：内部温度传感器工作。 位1： BIASE：ADC/DAC 偏压发生器使能位（使用ADC 和DAC 时该位必须为1） 0：内部偏压发生器关闭。 1：内部偏压发生器工作。 位0： REFBE：内部电压基准缓冲器使能位 0：内部电压基准缓冲器关闭。 1：内部电压基准缓冲器工作。内部电压基准提供从VREF 引脚输出。 REF0CN: 电压基准控制寄存器(见下页) REF0CN 中的BIASE 位使能片内电压基准发生器，而REFBE 位使能驱动VREF引脚的缓冲放大器。 当被禁止时，带隙基准和缓冲放大器消耗的电流小于1μA（典型值），缓冲放大器的输出进入高阻状态。 如果要使用内部带隙基准作为基准电压发生器，则BIASE 和REFBE 位必须被置‘1’。如果不使用内部基准，REFBE 位可以被清‘0’。 注意：如果使用ADC 或DAC，则不管电压基准取自片内还是片外，BIASE 位必须被置为逻辑‘1’。如果既不使用ADC 也不使用DAC，则这两位都应被清‘0’以节省功耗。 温度传感器接在ADC0 输入多路开关的最后一个输入端。REF0CN 中的TEMPE 位用于使能和禁止温度传感器。当被禁止时，温度传感器为缺省的高阻状态，此时对温度传感器的任何A/D 测量结果都是无意义的。 表10.1 电压基准的电气特性 10. 2 电压基准（C8051F021/3） 内部电压基准电路由一个1.2V、15ppm/℃（典型值）的带隙电压基准发生器和一个两倍增益的输出缓冲放大器组成。 内部基准电压可以通过VREF 引脚连到应用系统中的外部器件或VREFA 输入引脚。 注意：只有一个输入引脚。 建议在VREF 引脚与AGND 之间接入0.1 μF 和4.7 μF 的旁路电容。 VREFA 引脚只为ADC0 和ADC1 提供电压基准输入。 通过配置VREF 模拟开关，ADC0 还可以使用DAC0 的输出作为内部基准。 ADC1 可以通过VREF 多路开关使用模拟电源电压作为基准。 REF0CN: 电压基准控制寄存器 表10.2 电压基准的电气特性 例:DAC输出阶梯波，写DAC0H时，更新DAC0 //--------------------------------------------------------------------------- //DAC0转换程序 //--------------------------------------------------------------------------- //--------------------------------------------------------------------------- //INCLUDES //--------------------------------------------------------------------------- #include C8051F020.h //--------------------------------------------------------------------------- //C8051F020的16位SFR定义 //--------------------------------------------------------------------------- sfr16 DAC0 = 0xd2; //DAC0数据寄存器 //------------------