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PAGE PAGE 1 /analog 模拟电子技术课程 电流负反馈偏置的共发射极放大电路仿真实验报告 学号： 王海洋 姓名： 5090309560 本仿真实验的目的 研究在电流负反馈偏置的共发射极放大电路中各个电路元件参数与电路中电压增益Aus=vo/vs、输入电阻Ri、输出电阻Ro以及低频截止频率fL的关系； 进一步理解三极管的特性以及电流负反馈偏置的共发射极放大电路的工作原理； 进一步熟悉Multisim软件的使用方法。 仿真电路 图1 电流负反馈偏置的共发射极放大电路 注：在此电路中，三极管为BJT-NPN-VRTUAL*，设置参数为BF=100，RB=100Ω（即设置晶体管参数为β=100，rbb’=100Ω）。 仿真内容 计算电路的电压增益Aus=vo/vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro； 研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率fL的影响： 令C2，CE足够大，计算由C1引起的低频截止频率fL1； 令C1，CE足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2； 令C1，C2足够大，计算由CE引起的低频截止频率fL3； 同时考虑C1，C2，CE时的低频截止频率fL； 采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3kΩ，RS=100Ω,设计其它电路元件参数，满足下列要求：Aus≥40，fL≤80Hz。 仿真结果 计算电路的电压增益Aus=vo/vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro； 仿真电路如图2所示： 图2 测量结果如下所示： Vs有效值为5mv，频率为60Hz： 测得Aus=-29.2，Ri=5.60kΩ，Ro=3.35 kΩ。 Vs有效值为5mv，频率为100Hz： 测得Aus=-43.5，Ri=3.89kΩ，Ro=3.33kΩ。 Vs有效值为5mv，频率为1kHz： 测得Aus=-76.1，Ri=2.27kΩ，Ro=3.31kΩ。 Vs有效值为5mv，频率为1kHz： 测得Aus=-77.1，Ri=2.25kΩ，Ro=3.30kΩ。 测量数据归纳如表1所示： 表1 不同频率下的电路参数 Aus Ri k(Ω) Ro( kΩ) Vs=5mv，f=60Hz -29.2 5.60 3.35 Vs=5mv，f=100Hz -43.5 3.89 3.33 Vs=5mv，f=1kHz -76.1 2.27 3.31 Vs=5mv，f=1MHz -77.1 2.25 3.30 研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率fL的影响： 令C2，CE足够大，计算由C1引起的低频截止频率fL1； 仿真电路如图3所示： 图3 令C2=CE=5F， 输入电压为1mv。 当f=1Mhz时Vo=0.071v，因此当f= fL时Vo=0.0502v。经电路仿真，当f=19.5Hz时，Vo=0.0502v。因此fL =19.5Hz。 令C1，CE足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2； 仿真电路如图4所示： 图4 令C1=CE=5F ，输入电压为5mv。 当f=1Mhz时Vo=0.358v，因此当f=fL时Vo=0.253v。经电路仿真，当f=5.7Hz时，Vo=0.253v。因此fL=5.7Hz。 令C1，C2足够大，计算由CE引起的低频截止频率fL3； 仿真电路如图5所示： 图5 令C1=C2=5F ，输入电压为5mv。 当f=1Mhz时Vo=0.353v，因此当f=fL时Vo=0.250v。经电路仿真，当f=118Hz时，Vo=0.250v。因此fL=118Hz。 同时考虑C1，C2，CE时的低频截止频率fL； 仿真电路如图6所示： 图6 原始电路基础上，输入电压为5mv。 当f=1Mhz时Vo=0.354v，因此当f=fL时Vo=0.250v。经电路仿真，当f=135Hz时，Vo=0.250v。因此fL=135Hz。 采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3kΩ，RS=100Ω,设计其它电路元件