半导体β-Ga2O3中本征氧缺陷的转变能级的第一性原理计算.doc

下载文档 降价啦

200
0
约2.22万字
约 27页
2021-01-03 发布于山西
举报
版权申诉
保障服务

半导体β-Ga2O3中本征氧缺陷的转变能级的第一性原理计算.doc

1、本文档共27页，其中可免费阅读9页，需付费150金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

摘要近年来，半导体在不同条件下费米能级的确定，以及深能级缺陷对发光效率的影响等，都受到了研究人员的广泛关注。本文中所使用的方法是以密度泛函理论为基础的第一性原理方法，采用Materials Studio 8.0中的CASTEP模块建立不同电荷的氧空位和氧间隙位的β-Ga2O3，对于不同的结构进行优化，在优化的基础上我们计算了每个结构的生成焓及形成能，并找到生成焓最低的结构，分析这些结构的晶格常数、体系总能量的变化趋势，以及形成能随费米能级的变化。得出了三种氧空位对应的缺陷能级到价带顶之间的距离分别为VO(I) =3.31eV、VO(II)=2.70eV 和VO(III)=3，57eV。以