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《晶圆处理制程介绍》
基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗 (Cleaning )之后 ,送到热炉管
(Furnace )内 ,在含氧的环境中 ,以加热氧化 (Oxidation )的方式在晶圆的表
面形成一层厚约数百个的 二氧化硅层 ,紧接着厚约1000 到2000 的氮化硅
层 将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition ;CVP )的方式沈积
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