RAM调研与及总结.docx

RAM调研与及总结 一、RAM调研 1.1 RAM分类和主要特性 主要易失性RAM存储器的分类和主要性能： 成本 容量 性能 功耗 主要市场 Low Power SDRM 最低 最高 最低 高 手持设备 SRAM 最高 最低 最高 低 高性能设备，Cache 1T SRAM（PSRAM、CellularRAM） 低 高 高 低 低功耗手持设备（手机） Embedded SRAM 最高 最低 最高 最高 处理器的Cache Embedded DRAM 低 高 中 低 嵌入式应用（设计初期复杂） 1.2 RAM产品调研 1.2.1 市场应用要求 主要的应用市场： 向高性能通信网络所需的高速器件发展； 降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场； 不同的应用市场对RAM需求： SRAM（Cache） 1T SRAM/SDRAM 容量 性能 容量 性能 Server Processors 4M 3GHz Embedded processors Cell Broadband Engine Processors(IBM推出高端) 2M 3GHz Mobile Application 1－64＋M 1.2.2 Memory芯片公司产品分布 Memory芯片公司的产品分布情况： 表1 各个产品在各个公司中的分布 产品 公司 Async SRAMs Dual-port SRAMs Sync SRAMs ULP SRAM SDRAM CellularRAM PSRAM NVM Cypress √ √ √ √ Micron √ √ 富士通 √ Hynix √ Winbond √ Powerchip √ Kilopass √ Mosys √ 表2 各个公司的产品性能 公司 产品 性能 Cypress Async SRAMs 8-35ns，4K-16M（产品数289） Dual-port SRAMs 6-55ns，8K-32M（261） Sync SRAMs 100-550MHz，2M-72M（858） ULP SRAM 45-70ns，64k-64M（276） Micron SDRAM 64M-512M,电源电压3.3V,时钟频率133-200MHz CellularRAM 16M, Cuts access time in half, making first data available in as little as 35ns 富士通 PSRAM MB82DBS08164D :128Mb,时钟存取时间6ns,最大工作频率83MHz,工作电压1.8V Hynix PSRAM HY64SD16645M: 4Mx16,速度70ns, 66MHz下 Winbond PSRAM W965A6FKA：32Mb，65ns，-25 to 85 C；W966A6GKA: 64Mb，65ns，-25 to 85 C 等等 Powerchip SDRAM 64Mb-256Mb，data transfer speed：133Mbps-400Mbps Kilopass NVM Itera?：32b-1Mb；工艺：65nm-40nm Mosys PSRAM 到目前为止，采用这种存储单元（1T SRAM存储单元）的芯片销量达到5,000万只左右 发展趋势： 高速网络方面：FCRAM和RLDRAM快速发展，可能会和SRAM竞争。 便携式应用领域：CellularRAM和Mobile FCRAM等PSRAM产品，SRAM。老手机存储器大多使用LP SRAM，因为SRAM比DRAM省电，现在手机功能越来越多，因此手机对存储容量的需求逐渐攀升，1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比SRAM高，而1T SRAM消耗的电量比较少，所以1T SRAM在此领域使用的优势相对较高【1】。 目前PSRAM阵营包括了由柏士半导体（Cypress）、英飞凌（Infineon）、美光（Micron）、日本瑞萨科技（Renesas）合组的CellularRAM联盟；由NEC、富士通、东芝等日系业者合组的CosmoRAM联盟主要也是针对行动装置应用的PSRAM架构阵营，不过由于其接脚及一些定义上与CellularRAM不兼容，所以一般较少见到其应用；以及韩国二大 存储器厂三星及Hynix合组的PSRAM联盟。诸如华邦、力晶、南亚科及茂德等台湾 存储器厂商，多集中在CellularRAM这个阵营，如力晶与瑞萨合作，南亚科、华邦与英飞凌合作，茂德则是与柏士半导体合作（在PSRAM方面）。目前也已经有容量高达256Mbit的PSRAM产品出现。 1.2.3 RAM IP核公司产品分布 Memory IP公司的产品分布情况： 表3 memory IP 公司的各个产品统计表 公司 产品 性能 An