硅的霍尔系数及电阻率的测量.pdf

  1. 1、本文档共9页,其中可免费阅读6页,需付费30金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
大学近代物理实验实验报告 系别:元培学院 姓名:朱天骢 学号 实验日期:2011/11/30 指导老师:许福军 教师评定: 实验名称 硅的霍尔系数及电阻率的测量 实验目的 1、通过对不同温度下高阻p 型Si 的霍尔系数及电阻率的测量,了解半导体内本征导电 和杂质导电两种导电机制 2、由霍尔系数符号确定载流子类型,并确定禁带宽度、净杂质浓度、载流子浓度及迁 移率

文档评论(0)

158****9376 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档